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NVTFS5826NL单N沟道MOSFET - onsemi
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onsemi NVTFS5826NL单N沟道MOSFET
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安森美 (onsemi) NVTFS5826NL单N沟道MOSFET采用3.3mmx3.3mm扁平引线封装,设计紧凑且高效,具有较高的热性能。 这款N沟道MOSFET具有低导通电阻(可将导通损耗降至最低)、低电容(可将驱动损耗降至最低)和大电流能力。NVTFS5826NL MOSFET提供可润湿侧翼选项,可增强光学检测能力。这款N沟道MOSFET通过AEC-Q101认证,且具备PPAP能力。NVTFS5826NL MOSFET不含铅,符合RoHS标准。该N沟道MOSFET适用于汽车应用,例如电机驱动器、电磁阀驱动器和照明驱动器。
特性
低R
DS(on)
值,可最大限度降低导通损耗
低电容,可最大限度地降低驱动器损耗
大电流能力
100% 经雪崩测试
可湿性侧翼
占位面积小(3.3mmx3.3mm),可实现紧凑设计
符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
无铅
符合RoHS标准
应用
电机驱动器
电磁驱动器
灯驱动器
N 沟道
其他资源
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WDFN8 3.3x3.3、0.65P封装图纸
WDFNW8 3.3x3.3,0.65P(全切8FL WF)封装图纸
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发布日期: 2025-11-07 | 更新日期: 2025-12-29