IXBx14N300HV反向导通BiMOSFET™ IGBT
IXYS IXBx14N300HV反向导通BiMOSFET™ IGBT结合了MOSFET和IGBT的优势。这些高压器件非常适合用于并联运行，因为饱和电压和内置二极管的正向电压降均具有正电压温度系数。IXBx14N300HV BiMOSFET IGBT的“自由”内置体二极管用作保护二极管，为器件关断期间的感性负载电流提供替代路径，防止高Ldi/dt电压瞬变对器件造成损坏。
IXYS IXBx14N300HV反向导通BiMOSFET™ IGBT结合了MOSFET和IGBT的优势。这些高压器件非常适合用于并联运行，因为饱和电压和内置二极管的正向电压降均具有正电压温度系数。IXBx14N300HV BiMOSFET IGBT的“自由”内置体二极管用作保护二极管，为器件关断期间的感性负载电流提供替代路径，防止高Ldi/dt电压瞬变对器件造成损坏。