HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 719
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

IXYS MOSFET 600V 14A
数据表
130库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds
数据表
52库存量
1,020在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
数据表
116库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 100 Amps 40V
数据表
280库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-264 Power MOSFET
数据表
76库存量
300预期 2027/7/13
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 150V 42A N-CH TRENCH
数据表
124库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 130Amps 200V
数据表
213库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 130 A 16 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 650V/64A Power MOSFET
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
数据表
198库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 kV 5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 6 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds
数据表
49库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
232库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 1KV 4A N-CH POLAR
数据表
407库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 2.1 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A
数据表
278库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds
数据表
324库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET
数据表
256库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
数据表
507库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 140 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 120V 140A N-CH TRENCH
数据表
365库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 140 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 174 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
数据表
238库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 850V 8A N-CH XCLASS
数据表
251库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC 200 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
数据表
191库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 76 A 39 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 92 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 300 Amps 40V
数据表
286库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 14A
数据表
291库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChHiPerFET-Polar3 TO-263D2
数据表
361库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement HiPerFET Tube