2.3 GHz to 2.7 GHz 半导体

选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Mini-Circuits 射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS 13库存量
150在途量
最低: 1
倍数: 1

Mini-Circuits 射频放大器 SMT Low Noise Amplifier, 2300 - 2700 MHz, 50? 318库存量
500预期 2026/11/16
最低: 1
倍数: 1
: 500

Guerrilla RF 射频放大器 High Gain Linear Driver Tuning Range: 2.3 to 3 GHz 1,480库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

Infineon Technologies 射频放大器 WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,995库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies 射频放大器 WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,883库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP 303库存量
最低: 1
倍数: 1
: 300

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP 90库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Infineon Technologies 射频放大器 WIRELESS INFRASTRUCTURE 5库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies 射频放大器 RF MMIC 3 TO 6 GHZ 1,190库存量
12,000预期 2026/9/2
最低: 1
倍数: 1
: 12,000

Infineon Technologies 射频放大器 RF BIP TRANSISTORS 685库存量
最低: 1
倍数: 1
: 7,500

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
1,500预期 2026/9/18
最低: 1
倍数: 1
: 500

Qorvo 射频放大器 2.3-2.7 GHz .25W B7/B30/B40/41
2,500预期 2026/10/1
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


pSemi 射频前端 Single Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000

pSemi 射频前端 Dual Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000
Analog Devices 射频前端 2.3 GHz to 2.7 GHz, Receiver Front End

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2327N55D/PQFN/REELDP

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP