GaN 半导体

结果: 804
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 150mohm GaN FET in TO220 1,818库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 栅极驱动器 High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors 670库存量
最低: 1
倍数: 1

Texas Instruments 栅极驱动器 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZR 606库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

Texas Instruments 栅极驱动器 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv 2,000库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Texas Instruments 电流隔离式栅极驱动器 Automotive 2.5kVrms 4A/6A dual-channel A A 595-UCC20225AQNPLTQ1 2,811库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Texas Instruments 电流隔离式栅极驱动器 5.7kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21540ADWK 1,592库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Texas Instruments 电流隔离式栅极驱动器 5.7kVrms 1.5A/2.5A d ual-channel isolate A 595-UCC21541DW 1,710库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1 15,316库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 4,568库存量
7,500预期 2026/11/17
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 11,638库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 11,218库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 12,698库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 1,947库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5 12,103库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 6,866库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 2,778库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3 2,628库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85 1,881库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 14,438库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3 460库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 734库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 2,058库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 9,328库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3 4,082库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500