|
|
交流/直流转换器 65 W (85-265 VAC)
- INN3278C-H215-TL
- Power Integrations
-
1:
¥25.3911
-
86库存量
|
Mouser 零件编号
869-INN3278C-H215-TL
|
Power Integrations
|
交流/直流转换器 65 W (85-265 VAC)
|
|
86库存量
|
|
|
¥25.3911
|
|
|
¥21.922
|
|
|
¥20.0123
|
|
|
¥17.9444
|
|
|
查看
|
|
|
¥15.7974
|
|
|
¥17.0404
|
|
|
¥16.6223
|
|
|
¥15.7974
|
|
|
¥15.7974
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
- CG2H40025F
- MACOM
-
1:
¥2,166.3456
-
5库存量
-
1,920在途量
|
Mouser 零件编号
941-CG2H40025F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
|
|
5库存量
1,920在途量
在途量:
320 预期 2026/7/31
880 预期 2026/10/16
720 预期 2026/10/26
|
|
|
¥2,166.3456
|
|
|
¥1,829.357
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
- CGH40006P
- MACOM
-
1:
¥935.2219
-
927在途量
|
Mouser 零件编号
941-CGH40006P
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
|
|
927在途量
在途量:
567 预期 2026/7/28
360 预期 2026/9/14
|
|
|
¥935.2219
|
|
|
¥783.9262
|
|
|
¥730.6015
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
- CGH40035F
- MACOM
-
1:
¥3,029.1345
-
5库存量
-
782在途量
|
Mouser 零件编号
941-CGH40035F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
|
|
5库存量
782在途量
在途量:
282 预期 2026/8/28
500 预期 2026/12/7
|
|
|
¥3,029.1345
|
|
|
¥2,560.0376
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-018-2-L-MR
- Infineon Technologies
-
1:
¥77.0095
-
205库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
499-GS-065-018-2-LMR
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
|
|
205库存量
|
|
|
¥77.0095
|
|
|
¥50.8726
|
|
|
¥35.482
|
|
|
¥35.482
|
|
|
¥32.0129
|
|
|
¥31.9338
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
|
|
栅极驱动器 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRT
- LMG1210RVRR
- Texas Instruments
-
1:
¥39.6065
-
17,776预期 2026/10/5
|
Mouser 零件编号
595-LMG1210RVRR
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRT
|
|
17,776预期 2026/10/5
|
|
|
¥39.6065
|
|
|
¥30.1371
|
|
|
¥27.7076
|
|
|
¥25.0973
|
|
|
¥25.0973
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 170
:
3,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRR
- LMG1210RVRT
- Texas Instruments
-
1:
¥61.3138
-
7,350在途量
|
Mouser 零件编号
595-LMG1210RVRT
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRR
|
|
7,350在途量
|
|
|
¥61.3138
|
|
|
¥47.0645
|
|
|
¥43.6067
|
|
|
¥39.6856
|
|
|
¥37.6968
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2037
- EPC
-
1:
¥17.3681
-
29,949在途量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2037
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
29,949在途量
在途量:
14,949 预期 2026/10/20
15,000 预期 2026/11/13
|
|
|
¥17.3681
|
|
|
¥11.1644
|
|
|
¥7.4806
|
|
|
¥5.9438
|
|
|
¥4.8929
|
|
|
查看
|
|
|
¥5.4466
|
|
|
¥4.3957
|
|
|
¥4.2375
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
- EPC2088
- EPC
-
1:
¥46.1605
-
8,000在途量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2088
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
|
|
8,000在途量
在途量:
5,000 预期 2026/10/16
3,000 预期 2026/11/13
|
|
|
¥46.1605
|
|
|
¥30.7699
|
|
|
¥22.0011
|
|
|
¥19.6846
|
|
|
¥16.9613
|
|
|
¥15.9669
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
- EPC2305
- EPC
-
1:
¥72.8737
-
15,000预期 2026/7/31
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2305
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
|
|
15,000预期 2026/7/31
|
|
|
¥72.8737
|
|
|
¥49.7087
|
|
|
¥36.5555
|
|
|
¥36.1487
|
|
|
¥31.5948
|
|
|
¥29.4478
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLT65R035D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥88.5016
-
3,540在途量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLT65R035D2ATMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
3,540在途量
在途量:
1,740 预期 2026/8/6
1,800 预期 2026/8/13
|
|
|
¥88.5016
|
|
|
¥59.7205
|
|
|
¥46.6464
|
|
|
¥38.1375
|
|
|
¥38.0471
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,800
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
- QPD0020TR7
- Qorvo
-
1:
¥643.5689
-
500预期 2026/9/11
|
Mouser 零件编号
772-QPD0020TR7
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
|
|
500预期 2026/9/11
|
|
|
¥643.5689
|
|
|
¥643.3994
|
|
|
¥505.3925
|
|
|
¥398.7318
|
|
|
查看
|
|
|
¥337.2485
|
|
|
¥337.3389
|
|
|
¥337.2485
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
|
|
射频放大器 1-6GHz, 40W, PA Module
- QPM0106
- Qorvo
-
1:
¥9,970.5889
-
40预期 2026/9/11
|
Mouser 零件编号
772-QPM0106
|
Qorvo
|
射频放大器 1-6GHz, 40W, PA Module
|
|
40预期 2026/9/11
|
|
|
¥9,970.5889
|
|
|
¥9,871.9173
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
栅极驱动器 SINGLE CHANNEL INTEGRATED
- NCP58921MNTWG
- onsemi
-
1:
¥162.6748
-
2,975预期 2026/10/16
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-NCP58921MNTWG
新产品
|
onsemi
|
栅极驱动器 SINGLE CHANNEL INTEGRATED
|
|
2,975预期 2026/10/16
|
|
|
¥162.6748
|
|
|
¥116.2883
|
|
|
¥116.2883
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 20
:
3,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 SINGLE CHANNEL INTEGRATED
- NCP58922MNTWG
- onsemi
-
1:
¥106.3895
-
3,000预期 2026/8/17
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-NCP58922MNTWG
新产品
|
onsemi
|
栅极驱动器 SINGLE CHANNEL INTEGRATED
|
|
3,000预期 2026/8/17
|
|
|
¥106.3895
|
|
|
¥75.1337
|
|
|
¥74.0828
|
|
|
¥64.3535
|
|
|
¥63.8337
|
|
|
¥63.8337
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 300
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
- CG2H40010F
- MACOM
-
1:
¥977.4274
-
1,285在途量
|
Mouser 零件编号
941-CG2H40010F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
|
|
1,285在途量
在途量:
385 预期 2026/9/18
900 预期 2027/1/13
|
|
|
¥977.4274
|
|
|
¥820.7529
|
|
|
¥781.6662
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
- CGH40006S
- MACOM
-
1:
¥495.7197
-
1,909在途量
|
Mouser 零件编号
941-CGH40006S
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
|
|
1,909在途量
在途量:
1,109 预期 2026/7/23
800 预期 2026/9/11
|
|
|
¥495.7197
|
|
|
¥411.3426
|
|
|
¥366.8432
|
|
|
¥366.8432
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
200
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
- CGH40180PP
- MACOM
-
1:
¥8,140.1019
-
21预期 2026/9/25
|
Mouser 零件编号
941-CGH40180PP
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
|
|
21预期 2026/9/25
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
- CGHV1F006S
- MACOM
-
1:
¥744.8621
-
750预期 2026/9/15
|
Mouser 零件编号
941-CGHV1F006S
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
|
|
750预期 2026/9/15
|
|
|
¥744.8621
|
|
|
¥597.6231
|
|
|
¥540.9649
|
|
|
¥540.9649
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
- CGHV40030F
- MACOM
-
1:
¥2,217.7606
-
694在途量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV40030F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
694在途量
在途量:
594 预期 2026/9/4
100 预期 2026/9/25
|
|
|
¥2,217.7606
|
|
|
¥1,872.7038
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
栅极驱动器 80V GaN Half Bridge Power Stage A 595-LM A 595-LMG5200MOFR
- LMG5200MOFT
- Texas Instruments
-
1:
¥144.6739
-
411预期 2026/11/2
|
Mouser 零件编号
595-LMG5200MOFT
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 80V GaN Half Bridge Power Stage A 595-LM A 595-LMG5200MOFR
|
|
411预期 2026/11/2
|
|
|
¥144.6739
|
|
|
¥114.8871
|
|
|
¥107.4517
|
|
|
¥107.4517
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 30
:
250
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
- EPC2057
- EPC
-
1:
¥20.5095
-
12,099预期 2026/10/9
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2057
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
|
|
12,099预期 2026/10/9
|
|
|
¥20.5095
|
|
|
¥13.1532
|
|
|
¥9.0174
|
|
|
¥7.4354
|
|
|
¥5.8195
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.5879
|
|
|
¥5.2432
|
|
|
¥5.1754
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2308
- EPC
-
1:
¥46.1605
-
6,000预期 2026/7/28
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2308
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
6,000预期 2026/7/28
|
|
|
¥46.1605
|
|
|
¥30.7699
|
|
|
¥22.0011
|
|
|
¥19.6846
|
|
|
¥18.9388
|
|
|
¥15.9669
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN7126UXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥7.2772
-
3库存量
|
Mouser 零件编号
726-1EDN7126UXTSA1
|
Infineon Technologies
|
栅极驱动器 LOW SIDE DRIVERS
|
|
3库存量
|
|
|
¥7.2772
|
|
|
¥5.1076
|
|
|
¥4.5878
|
|
|
¥4.0002
|
|
|
查看
|
|
|
¥3.1979
|
|
|
¥3.729
|
|
|
¥3.5595
|
|
|
¥3.4239
|
|
|
¥3.277
|
|
|
¥3.1979
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
4,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK080B041SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥8.9383
-
3,995预期 2026/10/15
|
Mouser 零件编号
726-IGK080B041SXTSA1
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch
|
|
3,995预期 2026/10/15
|
|
|
¥8.9383
|
|
|
¥5.7517
|
|
|
¥4.7347
|
|
|
¥4.5313
|
|
|
¥3.7516
|
|
|
查看
|
|
|
¥4.294
|
|
|
¥4.0228
|
|
|
¥3.39
|
|
|
¥3.3787
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
4,000
|
|
|
