GaN 半导体

结果: 802
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
onsemi NCP1568G03DBR2G
onsemi 交流/直流转换器 ACTIVE CLAMP FLYBACK 2,322库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MACOM 射频放大器 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz 13库存量
最低: 1
倍数: 1

Texas Instruments 栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR 110库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

Texas Instruments 栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR 140库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 337库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,800

STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 675库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Texas Instruments 栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri 2,000库存量
最低: 1
倍数: 1

Texas Instruments 栅极驱动器 650V 270mohm GaN FET with integrated dri 2,000库存量
最低: 1
倍数: 1

EPC GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1,901库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 800库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

EPC 栅极驱动器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN 1,520库存量
3,000预期 2026/7/29
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 2,086库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 3,604库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Drive HB 600 V G5 3,016库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,646库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,667库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,082库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration 2,975库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch 3,162库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000
Power Integrations 交流/直流转换器 20 W (85-580 VAC) 1,440库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Power Integrations 交流/直流转换器 35 W (85-580 VAC) 1,592库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Texas Instruments 栅极驱动器 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR 37库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 637库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Texas Instruments 栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri 1,600库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 1,964库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500