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GaN 场效应晶体管 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L2727B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥38.3748
-
2,460库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
726-IGI60L2727B1MXUM
新产品
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Infineon Technologies
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GaN 场效应晶体管 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
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2,460库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
3,000
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GaN 场效应晶体管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L5050B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥30.1032
-
2,620库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
726-IGI60L5050B1MXUM
新产品
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Infineon Technologies
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GaN 场效应晶体管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
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2,620库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
3,000
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GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK048B041SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥19.1874
-
3,456库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
726-IGK048B041SXTSA1
新产品
|
Infineon Technologies
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GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch
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3,456库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
4,000
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GaN 场效应晶体管 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
- NTD100N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥26.9618
-
2,440库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
863-NTD100N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
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GaN 场效应晶体管 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
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2,440库存量
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最低: 1
倍数: 1
最大: 25
:
2,500
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GaN 场效应晶体管 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
- NTD170N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥20.0123
-
2,488库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
863-NTD170N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
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GaN 场效应晶体管 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
|
|
2,488库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
最大: 25
:
2,500
|
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GaN 场效应晶体管 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN DFN 8X8
- NTMT100N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥29.1992
-
2,443库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
863-NTMT100N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN DFN 8X8
|
|
2,443库存量
|
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最低: 1
倍数: 1
最大: 25
:
2,500
|
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GaN 场效应晶体管 700V 101MR TYP 130MR MAX LGAN IN DFN 8X8
- NTMT130N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥26.6341
-
2,472库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-NTMT130N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 700V 101MR TYP 130MR MAX LGAN IN DFN 8X8
|
|
2,472库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
最大: 25
:
2,500
|
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|
GaN 场效应晶体管 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN DFN 8X8
- NTMT170N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥23.4927
-
2,500库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-NTMT170N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN DFN 8X8
|
|
2,500库存量
|
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最低: 1
倍数: 1
最大: 25
:
2,500
|
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GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262701FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
¥1,785.4113
-
53库存量
-
工厂特别订单
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Mouser 零件编号
941-GTVA262701FAV2R0
工厂特别订单
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
53库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
50
|
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交流/直流转换器 ACTIVE CLAMP FLYBACK
onsemi NCP1568G04DBR2G
- NCP1568G04DBR2G
- onsemi
-
1:
¥41.2563
-
2,418库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
863-NCP1568G04DBR2G
寿命结束
|
onsemi
|
交流/直流转换器 ACTIVE CLAMP FLYBACK
|
|
2,418库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
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|
|
交流/直流转换器 ACTIVE CLAMP FLYBACK
onsemi NCP1568G03DBR2G
- NCP1568G03DBR2G
- onsemi
-
1:
¥15.8991
-
2,309库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
863-NCP1568G03DBR2G
寿命结束
|
onsemi
|
交流/直流转换器 ACTIVE CLAMP FLYBACK
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|
2,309库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
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射频放大器 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
- MAPC-A1501-AS000
- MACOM
-
1:
¥5,295.7902
-
13库存量
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
937-MAPC-A1501-AS000
工厂特别订单
|
MACOM
|
射频放大器 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
|
|
13库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
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GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262711FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
¥1,222.095
-
17库存量
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
941-GTVA262711FAV2R0
工厂特别订单
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
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|
17库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
50
|
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栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
- LMG3410R150RWHT
- Texas Instruments
-
1:
¥104.4685
-
110库存量
|
Mouser 零件编号
595-LMG3410R150RWHT
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
|
|
110库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
250
|
|
|
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|
栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
- LMG3411R150RWHT
- Texas Instruments
-
1:
¥119.5201
-
140库存量
|
Mouser 零件编号
595-LMG3411R150RWHT
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
|
|
140库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
250
|
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栅极驱动器 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR
- LMG3411R050RWHT
- Texas Instruments
-
1:
¥265.1093
-
37库存量
|
Mouser 零件编号
595-LMG3411R050RWHT
|
Texas Instruments
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栅极驱动器 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR
|
|
37库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
250
|
|
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GaN 场效应晶体管 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT1D5R10MEA
- STMicroelectronics
-
1:
¥70.2295
-
321库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT1D5R10MEA
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
321库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
最大: 50
:
3,000
|
|
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|
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GaN 场效应晶体管 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT3D5R10MEB
- STMicroelectronics
-
1:
¥33.335
-
336库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT3D5R10MEB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
336库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
最大: 50
:
3,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
- STDRIVEG212QTR
- STMicroelectronics
-
1:
¥24.4871
-
751库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-STDRIVEG212QTR
新产品
|
STMicroelectronics
|
栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
|
|
751库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
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|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624YREQR
- Texas Instruments
-
1:
¥55.7542
-
1,800库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3624YREQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
|
1,800库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK120B041SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥10.3395
-
3,161库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGK120B041SXTSA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch
|
|
3,161库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
- EPC23102
- EPC
-
1:
¥70.8849
-
5,301库存量
-
3,000预期 2026/11/5
-
新产品
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Mouser 零件编号
65-EPC23102
新产品
|
EPC
|
栅极驱动器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
|
|
5,301库存量
3,000预期 2026/11/5
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
- EPC2367
- EPC
-
1:
¥63.6868
-
16,433库存量
-
6,000预期 2026/11/4
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2367
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
|
|
16,433库存量
6,000预期 2026/11/4
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
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|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥105.2143
-
5,028库存量
-
3,600预期 2026/11/12
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLT65R025D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
5,028库存量
3,600预期 2026/11/12
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,800
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R025D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥105.542
-
3,647库存量
-
2,000预期 2026/11/5
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R025D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
3,647库存量
2,000预期 2026/11/5
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
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