GaN 半导体

结果: 716
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,460库存量
剪切带
¥38.3748
¥26.9618
¥23.165
¥22.4983
卷轴
¥21.6734
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,620库存量
剪切带
¥30.1032
¥20.8485
¥17.8653
¥17.289
¥16.7918
卷轴
¥14.803
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch 3,456库存量
剪切带
¥19.1874
¥9.3451
¥8.3507
¥6.6331
卷轴
¥5.537
最低: 1
倍数: 1
: 4,000
onsemi GaN 场效应晶体管 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN TO252/DPAK 2,440库存量
剪切带
¥26.9618
¥17.5376
卷轴
¥17.5376
最低: 1
倍数: 1
最大: 25
: 2,500
onsemi GaN 场效应晶体管 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN TO252/DPAK 2,488库存量
剪切带
¥20.0123
¥12.8255
卷轴
¥12.8255
最低: 1
倍数: 1
最大: 25
: 2,500
onsemi GaN 场效应晶体管 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN DFN 8X8 2,443库存量
剪切带
¥29.1992
¥19.0292
卷轴
¥19.0292
最低: 1
倍数: 1
最大: 25
: 2,500
onsemi GaN 场效应晶体管 700V 101MR TYP 130MR MAX LGAN IN DFN 8X8 2,472库存量
剪切带
¥26.6341
¥17.289
卷轴
¥17.289
最低: 1
倍数: 1
最大: 25
: 2,500
onsemi GaN 场效应晶体管 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN DFN 8X8 2,500库存量
剪切带
¥23.4927
¥15.142
卷轴
¥15.142
最低: 1
倍数: 1
最大: 25
: 2,500
MACOM GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 53库存量
剪切带
¥1,785.4113
¥1,518.607
¥1,506.7985
卷轴
¥1,506.7985
最低: 1
倍数: 1
: 50
onsemi NCP1568G04DBR2G
onsemi 交流/直流转换器 ACTIVE CLAMP FLYBACK 2,418库存量
剪切带
¥41.2563
¥33.5271
¥31.6061
¥29.4365
卷轴
¥27.7076
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
onsemi NCP1568G03DBR2G
onsemi 交流/直流转换器 ACTIVE CLAMP FLYBACK 2,309库存量
剪切带
¥15.8991
¥12.5995
¥11.7294
¥10.7689
卷轴
¥9.6389
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
MACOM 射频放大器 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz 13库存量
¥5,295.7902
¥5,140.4152
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 17库存量
剪切带
¥1,222.095
¥1,034.063
卷轴
¥985.0662
最低: 1
倍数: 1
: 50
Texas Instruments 栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR 110库存量
剪切带
¥104.4685
¥82.0493
¥76.5914
¥70.3877
卷轴
¥65.8451
最低: 1
倍数: 1
: 250
Texas Instruments 栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR 140库存量
剪切带
¥119.5201
¥94.2081
¥87.9253
¥81.8007
卷轴
¥76.0942
最低: 1
倍数: 1
: 250
Texas Instruments 栅极驱动器 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR 37库存量
剪切带
¥265.1093
¥214.6435
¥201.9875
¥192.2356
卷轴
¥184.7889
最低: 1
倍数: 1
: 250
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor 321库存量
剪切带
¥70.2295
¥39.0415
卷轴
¥39.0415
最低: 1
倍数: 1
最大: 50
: 3,000
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor 336库存量
剪切带
¥33.335
¥21.8316
卷轴
¥21.8316
最低: 1
倍数: 1
最大: 50
: 3,000
STMicroelectronics 栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 751库存量
剪切带
¥24.4871
¥18.3625
¥16.7918
¥15.0516
卷轴
¥12.8255
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Texas Instruments 栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri 1,800库存量
剪切带
¥55.7542
¥42.7253
¥39.5274
¥35.9566
卷轴
¥32.0468
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch 3,161库存量
剪切带
¥10.3395
¥4.8138
¥4.2714
¥3.3222
卷轴
¥2.4182
最低: 1
倍数: 1
: 4,000
EPC 栅极驱动器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN 5,301库存量
3,000预期 2026/11/5
剪切带
¥70.8849
¥55.0084
¥51.0308
¥46.6464
卷轴
¥39.8664
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN 16,433库存量
6,000预期 2026/11/4
剪切带
¥63.6868
¥34.6571
¥31.7643
¥30.1936
¥26.8827
卷轴
¥23.2441
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 5,028库存量
3,600预期 2026/11/12
剪切带
¥105.2143
¥59.6414
¥58.7261
¥58.1498
¥47.9798
卷轴
¥47.8894
最低: 1
倍数: 1
: 1,800
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5 3,647库存量
2,000预期 2026/11/5
剪切带
¥105.542
¥59.6414
¥58.7261
¥56.3305
卷轴
¥49.7087
最低: 1
倍数: 1
: 2,000