GaN 半导体

结果: 795
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MACOM GaN 场效应晶体管 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
无库存
最低: 250
倍数: 250
: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
无库存
最低: 250
倍数: 250
: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
无库存
最低: 250
倍数: 250
: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 235W, GaN HEMT, 48V, 3700-4100 MHz, 248 PP
无库存
最低: 50
倍数: 50
: 50
MACOM GaN 场效应晶体管 235W, GaN HEMT, 48V, 3700-4100 MHz, 248 PP
无库存
最低: 250
倍数: 250
: 250
Monolithic Power Systems (MPS) 栅极驱动器 100V, High-Frequency, Half-Bridge GaN/MOSFET Driver

Monolithic Power Systems (MPS) 栅极驱动器 Half-Bridge GaN MOSFET Driver
Monolithic Power Systems (MPS) 栅极驱动器 100V, 1.6A, 5A, EMI-Optimized Half-Bridge GaN Driver

Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Renesas / Intersil 栅极驱动器 100V, 2A source, 5A sink half-bridge Driver, w/ AST, 4x4 WLC

Renesas / Intersil 栅极驱动器 100V, 2A source, 5A sink Half-bridge Driver, w/ AST, 14Ld 3x

Renesas / Intersil 栅极驱动器 100V, 2A source, 5A sink half-bridge Driver, w/o AST, 4x4 WL

Renesas / Intersil 栅极驱动器 100V, 2A source, 5A sink Half-bridge Driver, w/o AST, 14Ld 3

Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 700V, 300mohm GaN FET in TO220

Texas Instruments 栅极驱动器 600V 30mohm GaN FET with integrated driv
Analog Devices HMC1087F10
Analog Devices 射频放大器 2-20GHz 6W Distributed pow amp

Analog Devices HMC7149-SX
Analog Devices 射频放大器 2 stage 10 W PA

Qorvo CMD184
Qorvo 射频放大器 0.5 - 20 GHz Power Amplifier
无库存交货期 34 周
最低: 1
倍数: 1

Qorvo QPA2226D
Qorvo 射频放大器 34-36 GHz 20 W GaN Amp
无库存交货期 17 周
最低: 10
倍数: 10

Qorvo QPA4446D
Qorvo 射频放大器 37.5-42.5 GHz, 4W PA Die

Qorvo QPD1013TR7
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
无库存交货期 26 周
最低: 25
倍数: 25