|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R270D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥17.8653
-
1,992库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGD70R270D2SAUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
1,992库存量
|
|
|
¥17.8653
|
|
|
¥11.413
|
|
|
¥7.7179
|
|
|
¥6.1246
|
|
|
¥5.0624
|
|
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查看
|
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|
¥5.6161
|
|
|
¥4.5539
|
|
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¥4.3957
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK120B041SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥5.2093
-
2,890库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGK120B041SXTSA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch
|
|
2,890库存量
|
|
|
¥5.2093
|
|
|
¥3.3222
|
|
|
¥2.7007
|
|
|
¥2.5764
|
|
|
¥2.3617
|
|
|
查看
|
|
|
¥2.5538
|
|
|
¥2.1583
|
|
|
¥2.0905
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
4,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3100R017VBER
- Texas Instruments
-
1:
¥113.6893
-
2,155库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3100R017VBER
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri
|
|
2,155库存量
|
|
|
¥113.6893
|
|
|
¥89.0214
|
|
|
¥82.8516
|
|
|
¥77.3824
|
|
|
¥77.3824
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 100
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
- IGC025S08S1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥38.0471
-
8,924库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGC025S08S1XTMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
|
|
8,924库存量
|
|
|
¥38.0471
|
|
|
¥24.069
|
|
|
¥17.6958
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥14.5544
|
|
|
¥12.3283
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥107.6099
-
3,679库存量
-
1,800预期 2026/8/13
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLT65R025D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
3,679库存量
1,800预期 2026/8/13
|
|
|
¥107.6099
|
|
|
¥78.9983
|
|
|
¥65.8451
|
|
|
¥58.7261
|
|
|
查看
|
|
|
¥49.7087
|
|
|
¥49.7991
|
|
|
¥49.7087
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,800
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R025D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥108.1975
-
4,066库存量
-
2,000预期 2026/8/20
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R025D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
4,066库存量
2,000预期 2026/8/20
|
|
|
¥108.1975
|
|
|
¥74.1958
|
|
|
¥63.7772
|
|
|
¥58.7261
|
|
|
¥53.6863
|
|
|
¥47.8894
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
- GANB8R0-040CBAZ
- Nexperia
-
1:
¥20.1027
-
2,071库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
771-GANB8R0-040CBAZ
新产品
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
|
|
2,071库存量
|
|
|
¥20.1027
|
|
|
¥12.9046
|
|
|
¥8.7688
|
|
|
¥6.9947
|
|
|
¥5.8195
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.4297
|
|
|
¥5.2432
|
|
|
¥5.1754
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz, Flanged
- QPD1035L
- Qorvo
-
1:
¥2,939.0622
-
90库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1035L
Mouser 的新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz, Flanged
|
|
90库存量
|
|
|
¥2,939.0622
|
|
|
¥2,678.8571
|
|
|
¥2,188.584
|
|
|
¥2,188.584
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
- TP65H030G4PQS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
¥82.0493
-
345库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PQS-TR
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
|
|
345库存量
|
|
|
¥82.0493
|
|
|
¥55.7542
|
|
|
¥45.991
|
|
|
¥42.5106
|
|
|
¥40.7817
|
|
|
¥37.4708
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
- TP65H030G4PRS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
¥82.6369
-
1,019库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PRS-TR
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
|
|
1,019库存量
|
|
|
¥82.6369
|
|
|
¥56.161
|
|
|
¥46.3187
|
|
|
¥42.8496
|
|
|
¥40.3636
|
|
|
¥37.7985
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,300
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
- TP65H030G4PWS
- Renesas Electronics
-
1:
¥85.6992
-
1,255库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PWS
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
|
|
1,255库存量
|
|
|
¥85.6992
|
|
|
¥54.3417
|
|
|
¥46.895
|
|
|
¥41.2789
|
|
|
查看
|
|
|
¥41.1885
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 100mohm GaN FET in TO220
- TP65H100G4PS
- Renesas Electronics
-
1:
¥53.8445
-
719库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H100G4PS
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 100mohm GaN FET in TO220
|
|
719库存量
|
|
|
¥53.8445
|
|
|
¥29.0297
|
|
|
¥26.1369
|
|
|
¥22.2497
|
|
|
¥20.7581
|
|
|
¥20.1027
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
交流/直流转换器 Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
- VIPERGAN50WTR
- STMicroelectronics
-
1:
¥24.5662
-
1,554库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-VIPERGAN50WTR
新产品
|
STMicroelectronics
|
交流/直流转换器 Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
|
|
1,554库存量
|
|
|
¥24.5662
|
|
|
¥18.2834
|
|
|
¥16.7127
|
|
|
¥14.9725
|
|
|
查看
|
|
|
¥12.4865
|
|
|
¥14.1476
|
|
|
¥13.899
|
|
|
¥13.1532
|
|
|
¥12.7351
|
|
|
¥12.4865
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
4,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器
- LMG2652RFBR
- Texas Instruments
-
1:
¥101.0898
-
1,210库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG2652RFBR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器
|
|
1,210库存量
|
|
|
¥101.0898
|
|
|
¥78.8627
|
|
|
¥73.3822
|
|
|
¥73.3822
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 50
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
- LMG2656RFBR
- Texas Instruments
-
1:
¥92.5583
-
1,997库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG2656RFBR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
|
|
1,997库存量
|
|
|
¥92.5583
|
|
|
¥68.2407
|
|
|
¥65.5965
|
|
|
¥55.5847
|
|
|
查看
|
|
|
¥45.3243
|
|
|
¥54.5903
|
|
|
¥53.9349
|
|
|
¥53.2682
|
|
|
¥45.3243
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器
- LMG3614REQR
- Texas Instruments
-
1:
¥52.5224
-
1,997库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3614REQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器
|
|
1,997库存量
|
|
|
¥52.5224
|
|
|
¥40.2845
|
|
|
¥37.2222
|
|
|
¥37.2222
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 25
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624REQR
- Texas Instruments
-
1:
¥52.5224
-
1,789库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3624REQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
|
1,789库存量
|
|
|
¥52.5224
|
|
|
¥40.2845
|
|
|
¥37.2222
|
|
|
¥37.2222
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 50
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
- EPC2152
- EPC
-
1:
¥75.6874
-
2,061库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2152
新产品
|
EPC
|
栅极驱动器 EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
|
|
2,061库存量
|
|
|
¥75.6874
|
|
|
¥58.8165
|
|
|
¥54.5903
|
|
|
¥49.9573
|
|
|
¥46.4091
|
|
|
查看
|
|
|
¥48.3866
|
|
|
¥44.748
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
- EPC2367
- EPC
-
1:
¥60.9635
-
2,158库存量
-
15,000在途量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2367
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
|
|
2,158库存量
15,000在途量
在途量:
3,000 预期 2026/8/5
6,000 预期 2026/11/18
6,000 预期 2026/12/4
|
|
|
¥60.9635
|
|
|
¥41.1885
|
|
|
¥29.945
|
|
|
¥28.5325
|
|
|
¥24.8939
|
|
|
¥23.2441
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
- IGC019S06S1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥38.0471
-
2,978库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGC019S06S1XTMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
|
|
2,978库存量
|
|
|
¥38.0471
|
|
|
¥24.069
|
|
|
¥17.6958
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥14.1476
|
|
|
¥12.3283
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES
- IGC033S101XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥38.0471
-
3,188库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGC033S101XTMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES
|
|
3,188库存量
|
|
|
¥38.0471
|
|
|
¥25.1425
|
|
|
¥17.6958
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥14.5544
|
|
|
¥12.3283
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES
- IGC033S10S1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥38.0471
-
2,810库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGC033S10S1XTMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES
|
|
2,810库存量
|
|
|
¥38.0471
|
|
|
¥24.3967
|
|
|
¥17.6958
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥14.5544
|
|
|
¥12.3283
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
- IGC037S12S1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥37.6403
-
3,054库存量
-
10,000预期 2026/7/30
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGC037S12S1XTMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
|
|
3,054库存量
10,000预期 2026/7/30
|
|
|
¥37.6403
|
|
|
¥24.3176
|
|
|
¥17.6958
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥14.1476
|
|
|
¥12.3283
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥59.9691
-
2,149库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R055D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,149库存量
|
|
|
¥59.9691
|
|
|
¥39.1206
|
|
|
¥29.4478
|
|
|
¥27.9562
|
|
|
¥24.3967
|
|
|
¥22.7469
|
|
最低： 1
倍数： 1
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3,000
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GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R080D2AUMA1
- Infineon Technologies
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1:
¥52.6128
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2,679库存量
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新产品
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Mouser 零件编号
726-IGLD65R080D2AUMA
新产品
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Infineon Technologies
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GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
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2,679库存量
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¥52.6128
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¥33.9113
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¥25.312
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¥22.4983
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¥20.5095
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¥19.2778
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最低： 1
倍数： 1
:
3,000
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