|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
- EPC2367
- EPC
-
1:
¥63.6868
-
14,047库存量
-
6,000预期 2026/9/10
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2367
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
|
|
14,047库存量
6,000预期 2026/9/10
|
|
|
¥63.6868
|
|
|
¥34.6571
|
|
|
¥31.7643
|
|
|
¥30.1936
|
|
|
¥26.8827
|
|
|
¥23.2441
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R025D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥105.542
-
3,825库存量
-
2,000预期 2026/12/14
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R025D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
3,825库存量
2,000预期 2026/12/14
|
|
|
¥105.542
|
|
|
¥59.6414
|
|
|
¥58.7261
|
|
|
¥56.3305
|
|
|
¥49.7087
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE140-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
¥38.3748
-
2,405库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
771-GANE140-700BBAZ
新产品
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
|
|
2,405库存量
|
|
|
¥38.3748
|
|
|
¥22.7469
|
|
|
¥18.7806
|
|
|
¥15.7183
|
|
|
¥14.8934
|
|
|
¥11.9893
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
- GANB8R0-040CBAZ
- Nexperia
-
1:
¥20.1027
-
2,071库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
771-GANB8R0-040CBAZ
新产品
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
|
|
2,071库存量
|
|
|
¥20.1027
|
|
|
¥9.8423
|
|
|
¥8.7688
|
|
|
¥6.9947
|
|
|
¥5.8195
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.78
|
|
|
¥5.2432
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz, Flanged
- QPD1035L
- Qorvo
-
1:
¥3,372.8918
-
90库存量
|
Mouser 零件编号
772-QPD1035L
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz, Flanged
|
|
90库存量
|
|
|
¥3,372.8918
|
|
|
¥2,918.9256
|
|
|
¥2,805.3945
|
|
|
¥2,805.3945
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
- TP65H030G4PRS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
¥88.0948
-
1,841库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PRS-TR
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
|
|
1,841库存量
|
|
|
¥88.0948
|
|
|
¥48.8838
|
|
|
¥46.3187
|
|
|
¥40.3636
|
|
|
¥37.7985
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,300
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
- TP65H030G4PWS
- Renesas Electronics
-
1:
¥91.982
-
1,195库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PWS
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
|
|
1,195库存量
|
|
|
¥91.982
|
|
|
¥51.2003
|
|
|
¥47.3922
|
|
|
¥41.1885
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
交流/直流转换器 Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
- VIPERGAN50WTR
- STMicroelectronics
-
1:
¥23.6622
-
1,494库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-VIPERGAN50WTR
新产品
|
STMicroelectronics
|
交流/直流转换器 Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
|
|
1,494库存量
|
|
|
¥23.6622
|
|
|
¥17.6958
|
|
|
¥16.2155
|
|
|
¥14.5544
|
|
|
查看
|
|
|
¥12.4074
|
|
|
¥13.8086
|
|
|
¥13.3227
|
|
|
¥12.9046
|
|
|
¥12.8255
|
|
|
¥12.4074
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
4,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器
- LMG2652RFBR
- Texas Instruments
-
1:
¥101.0898
-
1,232库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG2652RFBR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器
|
|
1,232库存量
|
|
|
¥101.0898
|
|
|
¥78.8627
|
|
|
¥73.3822
|
|
|
¥67.3141
|
|
|
查看
|
|
|
¥58.1046
|
|
|
¥63.9241
|
|
|
¥62.6246
|
|
|
¥61.2347
|
|
|
¥58.1046
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
- LMG2656RFBR
- Texas Instruments
-
1:
¥84.863
-
1,997库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG2656RFBR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
|
|
1,997库存量
|
|
|
¥84.863
|
|
|
¥66.2519
|
|
|
¥61.5398
|
|
|
¥56.4096
|
|
|
查看
|
|
|
¥49.3019
|
|
|
¥54.5903
|
|
|
¥53.9349
|
|
|
¥53.2682
|
|
|
¥49.3019
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3100R017VBER
- Texas Instruments
-
1:
¥113.6893
-
171库存量
-
5,000在途量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3100R017VBER
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri
|
|
171库存量
5,000在途量
在途量:
2,500 预期 2026/10/22
2,500 预期 2027/1/4
|
|
|
¥113.6893
|
|
|
¥89.0214
|
|
|
¥82.8516
|
|
|
¥77.3824
|
|
|
¥77.3824
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
栅极驱动器
- LMG3614REQR
- Texas Instruments
-
1:
¥52.5224
-
1,997库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3614REQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器
|
|
1,997库存量
|
|
|
¥52.5224
|
|
|
¥40.2845
|
|
|
¥37.2222
|
|
|
¥33.8322
|
|
|
查看
|
|
|
¥31.6852
|
|
|
¥32.2615
|
|
|
¥31.6852
|
|
|
¥31.6852
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 1,001
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624ZREQR
- Texas Instruments
-
1:
¥55.7542
-
2,000库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3624ZREQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
|
2,000库存量
|
|
|
¥55.7542
|
|
|
¥42.7253
|
|
|
¥39.5274
|
|
|
¥35.9566
|
|
|
查看
|
|
|
¥34.4763
|
|
|
¥33.8774
|
|
|
¥33.6966
|
|
|
¥32.0468
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3626ZREQR
- Texas Instruments
-
1:
¥47.1436
-
2,000库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3626ZREQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
|
|
2,000库存量
|
|
|
¥47.1436
|
|
|
¥35.9792
|
|
|
¥33.1655
|
|
|
¥30.1032
|
|
|
查看
|
|
|
¥28.7811
|
|
|
¥28.2839
|
|
|
¥28.0353
|
|
|
¥26.7132
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R140D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥23.7413
-
2,036库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGD70R140D2SAUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2,036库存量
|
|
|
¥23.7413
|
|
|
¥11.7407
|
|
|
¥10.5881
|
|
|
¥8.5202
|
|
|
¥8.1925
|
|
|
¥7.5371
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R200D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥19.9332
-
2,182库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGD70R200D2SAUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2,182库存量
|
|
|
¥19.9332
|
|
|
¥9.6728
|
|
|
¥8.6897
|
|
|
¥6.9269
|
|
|
¥5.7517
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.7461
|
|
|
¥5.1867
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R500D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥15.5488
-
3,441库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGD70R500D2SAUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
3,441库存量
|
|
|
¥15.5488
|
|
|
¥9.9214
|
|
|
¥6.6218
|
|
|
¥5.2319
|
|
|
¥4.4183
|
|
|
查看
|
|
|
¥4.7799
|
|
|
¥3.8307
|
|
|
¥3.5821
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
- IGI65D1414A3MSXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥61.5398
-
2,970库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGI65D1414A3MSXU
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
|
|
2,970库存量
|
|
|
¥61.5398
|
|
|
¥41.6066
|
|
|
¥30.3518
|
|
|
¥29.6173
|
|
|
¥27.1313
|
|
|
¥24.069
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥60.0482
-
2,133库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R055D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,133库存量
|
|
|
¥60.0482
|
|
|
¥40.5331
|
|
|
¥29.4478
|
|
|
¥27.9562
|
|
|
¥25.6397
|
|
|
¥22.7469
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R080D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥50.2963
-
979库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R080D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
979库存量
|
|
|
¥50.2963
|
|
|
¥26.4646
|
|
|
¥24.1481
|
|
|
¥22.0011
|
|
|
¥21.1762
|
|
|
¥17.9444
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R110D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥39.6178
-
2,537库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R110D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,537库存量
|
|
|
¥39.6178
|
|
|
¥20.4304
|
|
|
¥18.532
|
|
|
¥16.046
|
|
|
¥12.9837
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R140D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥34.0017
-
2,657库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R140D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,657库存量
|
|
|
¥34.0017
|
|
|
¥21.4248
|
|
|
¥15.6279
|
|
|
¥12.9837
|
|
|
¥10.6672
|
|
|
¥10.5881
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLR65R140D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥32.2615
-
4,511库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLR65R140D2XUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
4,511库存量
|
|
|
¥32.2615
|
|
|
¥21.1762
|
|
|
¥14.803
|
|
|
¥12.1588
|
|
|
¥11.6616
|
|
|
¥9.8423
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLR65R200D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥23.7413
-
4,825库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLR65R200D2XUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
4,825库存量
|
|
|
¥23.7413
|
|
|
¥15.3906
|
|
|
¥10.5881
|
|
|
¥8.5202
|
|
|
¥6.6557
|
|
|
查看
|
|
|
¥7.9552
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5,000
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GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLR65R270D2XUMA1
- Infineon Technologies
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1:
¥20.679
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4,719库存量
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新产品
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Mouser 零件编号
726-IGLR65R270D2XUMA
新产品
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Infineon Technologies
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GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
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4,719库存量
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¥20.679
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¥13.3227
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最低： 1
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5,000
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