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GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
- EPC2367
- EPC
-
1:
¥63.6868
-
16,253库存量
-
6,000预期 2026/11/4
-
新产品
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Mouser 零件编号
65-EPC2367
新产品
|
EPC
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GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
|
|
16,253库存量
6,000预期 2026/11/4
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
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GaN 场效应晶体管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE140-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
¥38.3748
-
2,297库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
771-GANE140-700BBAZ
新产品
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
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|
2,297库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
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GaN 场效应晶体管 GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE350-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
¥22.0802
-
2,284库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
771-GANE350-700BBAZ
新产品
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
|
|
2,284库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
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GaN 场效应晶体管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
- GANB8R0-040CBAZ
- Nexperia
-
1:
¥20.1027
-
2,501库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
771-GANB8R0-040CBAZ
新产品
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
|
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2,501库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
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交流/直流转换器 35 W (85-580 VAC)
- INN3626C-H606-TL
- Power Integrations
-
1:
¥28.3743
-
2,380库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
869-INN3626C-H606-TL
新产品
|
Power Integrations
|
交流/直流转换器 35 W (85-580 VAC)
|
|
2,380库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
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GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz, Flanged
- QPD1035L
- Qorvo
-
1:
¥3,044.5929
-
73库存量
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Mouser 零件编号
772-QPD1035L
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz, Flanged
|
|
73库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
50
|
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GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
- TP65H030G4PRS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
¥88.0948
-
1,144库存量
-
2,600预期 2027/4/26
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PRS-TR
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
|
|
1,144库存量
2,600预期 2027/4/26
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,300
|
|
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|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
- TP65H030G4PWS
- Renesas Electronics
-
1:
¥91.982
-
1,036库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PWS
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
|
|
1,036库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
¥82.3883
-
335库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT070R70HTO
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
335库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,800
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT080R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
¥59.2233
-
880库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT080R70ILB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
880库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT105R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
¥44.8271
-
949库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT105R70ILB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
949库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
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|
交流/直流转换器 Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
- VIPERGAN50WTR
- STMicroelectronics
-
1:
¥24.3967
-
1,397库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-VIPERGAN50WTR
新产品
|
STMicroelectronics
|
交流/直流转换器 Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
|
|
1,397库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器
- LMG2652RFBR
- Texas Instruments
-
1:
¥101.0898
-
998库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG2652RFBR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器
|
|
998库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
- LMG2656RFBR
- Texas Instruments
-
1:
¥84.863
-
1,997库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG2656RFBR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
|
|
1,997库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器
- LMG3614REQR
- Texas Instruments
-
1:
¥52.5224
-
1,997库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3614REQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器
|
|
1,997库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624ZREQR
- Texas Instruments
-
1:
¥55.7542
-
2,000库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3624ZREQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
|
2,000库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3626ZREQR
- Texas Instruments
-
1:
¥47.1436
-
2,000库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3626ZREQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
|
|
2,000库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2090
- EPC
-
1:
¥34.578
-
2,374库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2090
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
2,374库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
- EPC2091
- EPC
-
1:
¥80.4786
-
990库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2091
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
|
|
990库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
- EPC2152
- EPC
-
1:
¥75.6874
-
491库存量
-
2,500预期 2026/12/24
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2152
新产品
|
EPC
|
栅极驱动器 EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
|
|
491库存量
2,500预期 2026/12/24
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R140D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥23.7413
-
2,016库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGD70R140D2SAUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2,016库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R200D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥19.9332
-
2,161库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGD70R200D2SAUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2,161库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R500D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥15.3906
-
3,238库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGD70R500D2SAUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
3,238库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
- IGI65D1414A3MSXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥61.5398
-
2,968库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGI65D1414A3MSXU
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
|
|
2,968库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥60.0482
-
2,083库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R055D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,083库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|