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栅极驱动器 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF
- LMG2610RRGR
- Texas Instruments
-
1:
¥120.7631
-
1,671库存量
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Mouser 零件编号
595-LMG2610RRGR
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Texas Instruments
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栅极驱动器 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF
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1,671库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
2,000
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栅极驱动器 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF
- LMG2610RRGT
- Texas Instruments
-
1:
¥127.9612
-
191库存量
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Mouser 零件编号
595-LMG2610RRGT
|
Texas Instruments
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栅极驱动器 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF
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191库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
250
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栅极驱动器 600V 30mohm GaN FET with integrated driv
- LMG3426R030RQZT
- Texas Instruments
-
1:
¥203.6486
-
211库存量
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Mouser 零件编号
595-LMG3426R030RQZT
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 600V 30mohm GaN FET with integrated driv
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211库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
250
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栅极驱动器 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv
- LMG3526R030RQST
- Texas Instruments
-
1:
¥275.2341
-
224库存量
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Mouser 零件编号
595-LMG3526R030RQST
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv
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224库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
250
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栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624REQR
- Texas Instruments
-
1:
¥61.0426
-
1,797库存量
|
Mouser 零件编号
595-LMG3624REQR
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
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1,797库存量
|
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最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
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栅极驱动器 Automotive 5A/5A dua l-channel gate driv
- UCC27624QDSDRQ1
- Texas Instruments
-
1:
¥18.2834
-
3,073库存量
|
Mouser 零件编号
595-UCC27624QDSDRQ1
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 Automotive 5A/5A dua l-channel gate driv
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3,073库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
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GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
- EPC2057
- EPC
-
1:
¥20.679
-
9,109库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2057
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
|
|
9,109库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
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GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2204A
- EPC
-
1:
¥34.0017
-
2,201库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2204A
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
2,201库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
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GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
- EPC2234
- EPC
-
1:
¥116.6273
-
457库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2234
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
|
|
457库存量
|
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最低: 1
倍数: 1
:
500
|
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GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
- EPC2252
- EPC
-
1:
¥22.826
-
10,516库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2252
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
|
|
10,516库存量
|
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最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
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GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLR65R140D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥32.2615
-
4,511库存量
|
Mouser 零件编号
726-IGLR65R140D2XUMA
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
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4,511库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
5,000
|
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GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLR65R200D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥23.7413
-
4,815库存量
|
Mouser 零件编号
726-IGLR65R200D2XUMA
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
4,815库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
5,000
|
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GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLR65R270D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥20.679
-
4,699库存量
|
Mouser 零件编号
726-IGLR65R270D2XUMA
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
4,699库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
5,000
|
|
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GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLT65R035D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥88.5016
-
1,547库存量
-
1,800预期 2026/12/17
|
Mouser 零件编号
726-IGLT65R035D2ATMA
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
1,547库存量
1,800预期 2026/12/17
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,800
|
|
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|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLT65R045D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥65.427
-
798库存量
-
1,800预期 2026/11/19
|
Mouser 零件编号
726-IGLT65R045D2ATMA
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
798库存量
1,800预期 2026/11/19
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,800
|
|
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GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLT65R110D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥41.2789
-
1,163库存量
|
Mouser 零件编号
726-IGLT65R110D2ATMA
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
1,163库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,800
|
|
|
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GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGOT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥110.9999
-
556库存量
-
800预期 2026/11/19
|
Mouser 零件编号
726-IGOT65R025D2AUMA
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
556库存量
800预期 2026/11/19
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
800
|
|
|
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|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGOT65R035D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥91.2362
-
453库存量
-
800预期 2026/11/30
|
Mouser 零件编号
726-IGOT65R035D2AUMA
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
453库存量
800预期 2026/11/30
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
800
|
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|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGOT65R045D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥73.0432
-
1,228库存量
|
Mouser 零件编号
726-IGOT65R045D2AUMA
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
1,228库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
800
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGOT65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥60.9635
-
583库存量
|
Mouser 零件编号
726-IGOT65R055D2AUMA
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
583库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
800
|
|
|
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|
GaN 场效应晶体管 GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121
- GAN039-650NTBJ
- Nexperia
-
1:
¥125.0684
-
413库存量
|
Mouser 零件编号
771-GAN039-650NTBJ
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121
|
|
413库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
- GAN111-650WSBQ
- Nexperia
-
1:
¥103.9713
-
318库存量
|
Mouser 零件编号
771-GAN111-650WSBQ
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
|
|
318库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
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交流/直流转换器 85 W (85-265 VAC)
- INN3690C-H605-TL
- Power Integrations
-
1:
¥41.7761
-
1,889库存量
|
Mouser 零件编号
869-INN3690C-H605-TL
|
Power Integrations
|
交流/直流转换器 85 W (85-265 VAC)
|
|
1,889库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
交流/直流转换器 75 W (85-265 VAC)
- INN3699C-H605-TL
- Power Integrations
-
1:
¥37.0527
-
1,897库存量
|
Mouser 零件编号
869-INN3699C-H605-TL
|
Power Integrations
|
交流/直流转换器 75 W (85-265 VAC)
|
|
1,897库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
交流/直流转换器 100W 900V
- INN3990CQ-TL
- Power Integrations
-
1:
¥73.8681
-
1,582库存量
|
Mouser 零件编号
869-INN3990CQ-TL
|
Power Integrations
|
交流/直流转换器 100W 900V
|
|
1,582库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
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