Nexperia eMode GaN FET
Nexperia eMode GaN FET的电压范围为100V至650V，具有出色的开关性能。这些GaN FET具有较低的QC和QOSS参数，可实现快速的转换能力，从而获得出色的电源转换效率。
Nexperia低电压 (<200v) emode="" gan="">为电源系统提供最佳灵活性。这些设备能够加快电动汽车和有线/ 无线充电系统的充电速度，同时在LiDAR应用中显著节省空间和物料清单成本，并降低D类音频放大器的噪声。
Nexperia高压 (200V-650V) eMode GaN FET为电源系统提供最佳灵活性，是<1kw中等功率应用的理想选择。这些设备提高了650v>
特性
- 增强型模式 - 常关型电源开关
- 超高频率切换能力
- 无体二极管
- 低栅极电荷，低输出电荷
- 高效率和大功率密度
- 符合标准应用的资格
- ESD保护
- 无铅、符合RoHS和REACH标准
应用
- 大功率、高密度和高效电源转换
- 交流至直流电转换器
- 快速电池充电、移动电话、笔记本电脑、平板电脑和USB Type-C™充电器
- 数据通信和电信（交流至直流和直流至直流）转换器
- 电机驱动器
- D类音频放大器
视频
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Nexperia GAN041-650WSB氮化镓（GaN）FET
具有650V漏源电压、47.2A漏极额定电流以及41mΩ最大电阻。
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| 物料编号 | 数据表 | 封装 / 箱体 | Vds-漏源极击穿电压 | Id-连续漏极电流 | Pd-功率耗散 | Rds On-漏源导通电阻 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GAN140-650EBEZ |  |
DFN-8080-8 | 650 V | 17 A | 113 W | 140 mOhms |
| GANE140-700BBAZ | |
TO-252-3 | 700 V | 17 A | 110 W | 140 mOhms |
| GANE190-700BBAZ | |
TO-252-3 | 700 V | 11.5 A | 84 W | 190 mOhms |
| GANE350-650FBAZ | |
DFN-5 | 650 V | 6 A | 65 W | 350 mOhms |
| GANE350-700BBAZ | |
TO-252-3 | 700 V | 6 A | 47 W | 350 mOhms |
| GAN080-650EBEZ | |
DFN-8080-8 | 650 V | 29 A | 188 W | 80 mOhms |
| GAN190-650FBEZ | |
DFN-5060-5 | 650 V | 11.5 A | 125 W | 190 mOhms |
| GAN3R2-100CBEAZ | |
WLCSP-8 | 100 V | 60 A | 394 W | 3.2 mOhms |
| GAN7R0-150LBEZ | |
FCLGA-3 | 150 V | 28 A | 28 W | 7 mOhms |
| GANE240-700BBAZ | |
TO-252-3 | 700 V | 10 A | 74 W | 240 mOhms |
发布日期: 2023-05-01
| 更新日期: 2026-07-07