FDMS4D4N08C

Name: onsemi FDMS4D4N08C
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS4D4N08C
Price: 29.65 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDMS4D4N08C

制造商编号：

FDMS4D4N08C

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET

数据表:

FDMS4D4N08C 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Power-56-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	123 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	56 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	98 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7 ns
系列:	FDMS4D4N08C
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	25 ns
典型接通延迟时间:	17 ns
单位重量:	68.100 mg

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥33.5045	¥33.50
	¥21.8316	¥218.32
	¥15.8765	¥1,587.65
	¥13.3227	¥6,661.35
	¥12.3283	¥12,328.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥11.5825	¥34,747.50

FDMS4D4N08C

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