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STAC2942B 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch STAC2942BW STMicroelectronics 1: ¥1,198.5571 96库存量	制造商零件编号 STAC2942BW Mouser 零件编号 511-STAC2942BW	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch 了解更多关于STMicroelectronics stm stac rf transistors 的信息	数据表	96库存量	¥1,198.5571 ¥942.7929	最低： 1 倍数： 1			N-Channel	Si	40 A	130 V	250 MHz	21 dB	350 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	STAC244B	Bulk
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. STAC2942B STMicroelectronics 受限供货情况停产	制造商零件编号 STAC2942B Mouser 零件编号 511-STAC2942B 停产	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			N-Channel	Si	40 A	130 V	250 MHz	21 dB	450 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	STAC-244B	Bulk

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