STF10N80K5

Name: STMicroelectronics STF10N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF10N80K5
Price: 32.79 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STF10N80K5

制造商编号：

STF10N80K5

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

完成您的设计

数据表:

STF10N80K5 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解STMicroelectronics STF10N80K5详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	9 A
Rds On-漏源导通电阻:	470 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	22 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	30 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	14 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	11 ns
系列:	STF10N80K5
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	35 ns
典型接通延迟时间:	14.5 ns
单位重量:	2 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STF10N80K5 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MDmesh K5功率MOSFET

STMicroelectronics MDmesh K5系列为超高压MOSFET，采用超结技术，具备业界最佳的R_DS(on)和品质因数，可提高功率密度和效率。典型应用包括LED照明、计量、太阳能逆变器、三相辅助电源、焊接以及汽车电池管理。

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。