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RoHS

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STP12N60M2

STMicroelectronics

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STP12N60M2

制造商编号：

STP12N60M2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

完成您的设计

数据表:

STP12N60M2 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	9 A
Rds On-漏源导通电阻:	395 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	16 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	85 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	18 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9.2 ns
系列:	STP12N60M2
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	56 ns
典型接通延迟时间:	9.2 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STP12N60M2 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 945

库存：: 945 可立即发货

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生产周期：: 24 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥20.8485	¥20.85
	¥13.4018	¥134.02
	¥9.0965	¥909.65
	¥7.6953	¥3,847.65
	¥6.5314	¥6,531.40
	¥6.3619	¥12,723.80
	¥6.2037	¥31,018.50