STMicroelectronics BTB12 系列 双向可控硅

结果: 7
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 系列
不重复通态电流
额定重复关闭状态电压 VDRM
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）
开启状态电压
保持电流Ih最大值
栅极触发电压-Vgt
栅极触发电流-Igt
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
STMicroelectronics 双向可控硅 12 Amp 600 Volt
数据表
12,413库存量
最低： 1
倍数： 1

BTB12 126 A 600 V 5 uA 1.55 V 50 mA 1.3 V 50 mA - 40 C + 125 C Through Hole TO-220-3 Tube
STMicroelectronics 双向可控硅 12 Amp 600 Volt
数据表
1,691库存量
最低： 1
倍数： 1

BTB12 126 A 600 V 5 uA 1.55 V 35 mA 1.3 V 35 mA - 40 C + 125 C Through Hole TO-220-3 Tube
STMicroelectronics 双向可控硅 12 Amp 600 Volt
数据表
4,009库存量
最低： 1
倍数： 1

BTB12 126 A 600 V 5 uA 1.55 V 50 mA 1.3 V 100 mA - 40 C + 125 C Through Hole TO-220-3 Tube
STMicroelectronics 双向可控硅 12 Amp 600 Volt
数据表
25,563库存量
最低： 1
倍数： 1

BTB12 126 A 600 V 5 uA 1.55 V 15 mA 1.3 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole TO-220-3 Tube
STMicroelectronics 双向可控硅 12 Amp 600 Volt
数据表
177库存量
最低： 1
倍数： 1

BTB12 126 A 600 V 5 uA 1.55 V 25 mA 1.3 V 50 mA - 40 C + 125 C Through Hole TO-220-3 Tube
STMicroelectronics 双向可控硅 12 Amp 800 Volt
数据表
859库存量
最低： 1
倍数： 1

BTB12 126 A 800 V 5 uA 1.55 V 35 mA 1.3 V 35 mA - 40 C + 125 C Through Hole TO-220-3 Tube
STMicroelectronics 双向可控硅 12 Amp 600 Volt
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 2,000
倍数： 1,000

BTB12 126 A 600 V 5 uA 1.55 V 10 mA 1.3 V 5 mA - 40 C + 125 C Through Hole TO-220-3 Tube