串行RAM器件

ISSI串行RAM器件包含8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机存取存储器 (RAM),使用自刷新DRAM阵列。对于8Mb、16Mb和32Mb,这些阵列的结构分别为1M字 x 8位、2M x 8位和4M x 8位。这些串行RAM器件支持串行外围接口 (SPI) 和四路外围接口 (QPI) 协议,以及较小的信号引脚数。这些器件还支持隐藏式刷新操作,以及工业温度和汽车A2级温度。ISSI串行RAM器件支持带内复位,而不必使用专门的RESET#引脚,传输的最小数据量为8bit。

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 存储容量 组织 访问时间 最大时钟频率 接口类型 电源电压-最大 电源电压-最小 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装


ISSI 静态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 6,251库存量
19,000在途量
¥39.7082
¥36.9736
¥35.9001
¥35.0752
¥34.0808
最低: 1
倍数: 1
32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube


ISSI 静态随机存取存储器 8Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 4,532库存量
¥27.459
¥25.7301
¥24.9843
¥24.3967
¥23.7413
最低: 1
倍数: 1
8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI IS66WVS2M8ALL-104NLI
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 631库存量
¥35.5724
¥33.1655
¥32.1711
¥31.4366
¥30.6004
最低: 1
倍数: 1
16 Mbit 2 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI IS66WVS2M8BLL-104NLI
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 交货期 12 周
¥35.4029
¥33.0864
¥32.092
¥31.3462
¥30.5213
最低: 1
倍数: 1
16 Mbit 2 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI IS66WVS4M8ALL-104NLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 692库存量
¥42.4315
¥39.5387
¥38.3748
¥37.4708
¥36.5555
最低: 1
倍数: 1
32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI IS66WVS1M8ALL-104NLI
ISSI 静态随机存取存储器 8Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 193库存量
¥30.1032
¥28.1257
¥27.3008
¥26.7132
¥25.9674
最低: 1
倍数: 1
8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8