IS37SM Flash Memory Devices

ISSI IS37SM Flash Memory Devices are 1Gb/2Gb devices that are based on the standard parallel NAND Flash. These SLC SPI-NAND memory devices provide an advanced write protection mechanism for data security, such as software write protection with a block lock register. The IS37SM Flash memory devices feature Single-Level Cell (SLC) technology, user-selectable internal 8-bit ECC, and first page auto-load on power up. These devices include ten pages of One-Time Programmable (OTP) Flash memory area and offer 10 years of data retention. The IS37SM Flash memory devices are ideal for systems that require a minimum pin count.

结果: 20
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
系列
存储容量
接口类型
组织
定时类型
数据总线宽度
电源电压-最小
电源电压-最大
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
封装
ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT
数据表
334库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, Tray
数据表
106库存量
176预期 2026/9/18
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray

ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
数据表
480库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 459库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 517库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 3.3V 104MHz Serial NAND闪存
数据表
8,171库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480预期 2026/9/17
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
数据表
480预期 2026/9/17
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1 Gb, 1bit ECC, WSON-8 (8x6mm), 3.3V, RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 4,000
倍数： 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND闪存 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

SMD/SMT SOIC-16 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
数据表

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
数据表

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R

SMD/SMT 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
数据表

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
数据表

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT
数据表

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C