非易失性串行F-RAM

Cypress Semiconductor串行F-RAM（铁电RAM）存储器将ROM的非易失性数据存储能力与RAM的快速相结合。串行F-RAM具有多种接口和密度选项，包括SPI和I²C接口、行业标准封装以及4KB-4MB密度范围。Cypress串行F-RAM与其它非易失性存储技术相比具有三项独特的优势：写入速度快、耐久性极强和功耗低。串行F-RAM具有100万亿次写入周期，大大超过了EEPROM的100万次写入周期极限。因此，不需要采用损耗均衡技术，即可在产品的整个生命周期内提供支持。