0 C 存储器 IC

结果: 6,041
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
544在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
2,660在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
4,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
11,330在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L
1,459在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L
1,500预期 2026/9/17
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16, 166MHz
5,832在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16 143MHz
4,968在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS
8,716在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
12,096在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
3,779在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
952在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
136在途量
最低: 1
倍数: 1
DRAM SMD/SMT BGA-96 16 Gbit
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
269预期 2026/12/28
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 1 Mbit Parallel
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
412预期 2026/10/14
最低: 1
倍数: 1

MRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 256M 16Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
846在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 16M, 3.3V, S动态随机存取存储器 1Mx16, 143Mhz,RoHS
1,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-50 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
1,730在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
2,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
696预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS
1,404预期 2026/10/6
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
1,294在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
1,200在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit