ILSI 内存和数据存储器

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ISSI 静态随机存取存储器 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 930库存量
1,000预期 2026/9/1
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI 静态随机存取存储器 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
1,755预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
1,918预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT BGA-36 4 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
3,575在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 8 Gbit
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 4Mx16 70ns A-Temp
471预期 2026/8/25
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
1,496在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
680在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 16 Gbit
ISSI 静态随机存取存储器 2Mb, Serial 静态随机存取存储器, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
2,954预期 2026/12/16
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SRAM SMD/SMT SOIC-8 2 Mbit SDI, SPI, SQI
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS, T&R
20,928在途量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 512 Mbit SPI
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS
6,720预期 2027/4/16
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 512 Mbit SPI
ISSI IS46QR16512A-083TBLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
791预期 2027/2/15
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI IS43LQ32256B-062BLI
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
680预期 2027/5/3
最低: 1
倍数: 1

DRAM
ISSI NOR闪存 16Mb 3V 66/133Mhz Serial NOR闪存
2,076预期 2027/4/16
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 16 Mbit SPI
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
456预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS
1,216在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
131在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
1,296在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
696预期 2026/8/25
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54
ISSI NOR闪存 64Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT
1,383预期 2026/10/26
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT BGA-24 SPI
ISSI 动态随机存取存储器 16M, 3.3V, S动态随机存取存储器 1Mx16, 143Mhz,RoHS
585预期 2026/9/1
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-50 16 Mbit
ISSI NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS
1,319在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit SPI
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 8Mx16, 133Mhz, RoHS
1,330在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit
ISSI NOR闪存 64Mb QPI/QPI/QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS, Auto Grade
1,145预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 64 Mbit Dual/Quad SPI/QPI
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
1,392在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit