ILSI 内存和数据存储器

结果: 2,984
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
ISSI NOR闪存 512Mb, Octal Flash, 3V, 240ball TFBGA, RoHS, IT
480预期 2027/3/8
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-240 512 Mbit SPI
ISSI 动态随机存取存储器 2G 256Mx8 1333MT/s DDR3 1.5V
242预期 2026/8/25
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
272预期 2027/8/10
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
1,498在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
950在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS. IT
1,310在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
190预期 2027/8/10
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS
427在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
209在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit

ISSI 静态随机存取存储器 1M (128Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
963预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 1 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L
1,459在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
112在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 512Mb 32Mx16 166MHz Mobile S动态随机存取存储器
348在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
126在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
124在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT
324在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R
2,496在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
2,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
630在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI NOR闪存 64Mb QPI/QPI/QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS
4,551在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 64 Mbit QPI, SPI

ISSI NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, reset pin, T&R
950预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 128 Mbit QPI, SPI
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
2,292在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
1,499在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
701在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 64 Mbit