ILSI 内存和数据存储器

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数量 RoHS 产品
产品类型
安装风格
封装 / 箱体
存储容量
接口类型
ISSI IS43LR16640C-6BLI
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
数据表
300预期 2027/8/11
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-60
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 Asynch/Pg 4Mx16 55ns
数据表
956在途量
最低： 1
倍数： 1

SRAM SMD/SMT 64 Mbit Parallel
ISSI IS25WP512MG-RHLA2
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade
数据表
1,289在途量
最低： 1
倍数： 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 512 Mbit Dual/Quad SPI/QPI
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
数据表
239在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
数据表
108在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
数据表
348在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit

ISSI 静态随机存取存储器 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
数据表
97预期 2027/2/18
最低： 1
倍数： 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 1 Mbit Parallel
ISSI NAND闪存 2G 3.3V x8 1-bit NAND闪存 I-Temp
数据表
96预期 2026/12/2
最低： 1
倍数： 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel
ISSI IS43LR16640C-5BLI
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
数据表
280在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-60
ISSI IS46TR16640CL-125JBLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
数据表
570预期 2027/8/17
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI IS43LD32320C-18BLI
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
数据表
171预期 2027/5/18
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-134
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
数据表
960在途量
最低： 1
倍数： 1
DRAM SMD/SMT 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
数据表
190预期 2027/7/22
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-60
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 1-bit NAND闪存
数据表
96在途量
最低： 1
倍数： 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 1 Gbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS
数据表
108预期 2026/8/24
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
数据表
216预期 2027/8/10
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
数据表
242预期 2026/10/12
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI 静态随机存取存储器 1Mb (128Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
数据表
213预期 2026/10/16
最低： 1
倍数： 1

SRAM SMD/SMT 1 Mbit Parallel

ISSI 静态随机存取存储器 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
数据表
270预期 2026/11/16
最低： 1
倍数： 1

SRAM SMD/SMT TSOP-II-44 8 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
数据表
108预期 2026/8/26
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66
ISSI NOR闪存 64Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS
数据表
180预期 2026/10/14
最低： 1
倍数： 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 64 Mbit QPI, SPI
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 1.8V, Mobile S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
数据表
230预期 2027/8/11
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90
ISSI 动态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
数据表
200预期 2027/3/19
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, Cu 54 pin TSOP II RoHS
数据表
108预期 2027/8/10
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
数据表
10在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit