P2DDRL1812 动态随机存取存储器

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
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PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) 无库存交货期 20 周
¥93.6318
最低: 4,800
倍数: 4,800
PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S70KL1283DPBHA020
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
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Tray
Infineon Technologies S70KL1283DPBHI020
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
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Infineon Technologies S70KL1283DPBHB020
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
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Infineon Technologies S70KL1283DPBHA023
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
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