+ 85 C 动态随机存取存储器

结果: 751
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
122预期 2026/9/28
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5108SD Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 400MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器 56库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz WBGA-84 16 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16160B Reel
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器 49库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 266 MHz BGA-84 16 M x 16 500 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16160B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR S动态随机存取存储器 54库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
ISSI IS42VM32200M-75BLI
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 2Mx32, 133Mhz, RoHS 22库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile 64 Mbit 32 bit 133 MHz 2 M x 32 8 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32200M
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
6,449预期 2026/9/14
最低: 1
倍数: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
4,290预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
348预期 2026/7/30
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM1216SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
455预期 2026/9/18
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6416SD Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Commercial Temp - Tray
3,243预期 2026/9/21
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Winbond W958S6NBJX4I
Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NBPA4I
Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NMPA4I
Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S6NBJX4I
Winbond 动态随机存取存储器 512Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S8NMPA4I
Winbond 动态随机存取存储器 512Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
676预期 2026/7/29
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
6,156预期 2026/9/21
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160G Tray
ISSI 动态随机存取存储器 16M, 3.3V, S动态随机存取存储器 1Mx16, 143Mhz,RoHS
11,000预期 2026/9/15
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
18,096在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
18,444在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
7,470在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT
3,050在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT
3,456预期 2027/7/12
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
2,874在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
17,264在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Tray