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ME611GXELY8VT 存储器模块

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	产品	存储容量	存储类型	速度	工作电源电压	最大工作温度	管脚数量
	存储器模块 3200MT/s 8GB 1Gx8 Ultra Temperature -40C-125C M4D0-8GM1PEEM Innodisk 1: ¥11,075.1752 1库存量	制造商零件编号 M4D0-8GM1PEEM Mouser 零件编号 944-M4D0-8GM1PEEM	Innodisk	存储器模块 3200MT/s 8GB 1Gx8 Ultra Temperature -40C-125C 了解更多关于Innodisk ddr4 5 memory modules 的信息	数据表	1库存量	¥11,075.1752	最低： 1 倍数： 1				8 GB	DDR4	3200 MT/s	5 V	+ 125 C	260 Pin
	存储器模块 WT 16GB Unb ECC DIMM A4C16QD8BVTDMW ATP Electronics 50: ¥1,046.3574 无库存交货期 29 周	制造商零件编号 A4C16QD8BVTDMW Mouser 零件编号 162-A4C16QD8BVTDMW	ATP Electronics	存储器模块 WT 16GB Unb ECC DIMM	数据表	无库存交货期 29 周	¥1,046.3574	最低： 50 倍数： 50			DIMMs, ECC	16 GB	DDR4	2666 MT/s	1.2 V		288 Pin
	存储器模块 16GB Unb ECC DIMM A4C16QD8BVTDME ATP Electronics 50: ¥932.9506 无库存交货期 29 周	制造商零件编号 A4C16QD8BVTDME Mouser 零件编号 162-A4C16QD8BVTDME	ATP Electronics	存储器模块 16GB Unb ECC DIMM	数据表	无库存交货期 29 周	¥932.9506	最低： 50 倍数： 50			DIMMs, ECC	16 GB	DDR4	2666 MT/s	1.2 V		288 Pin
	存储器模块 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM A4G16QA8BVTDMW ATP Electronics 50: ¥957.1891 无库存交货期 29 周	制造商零件编号 A4G16QA8BVTDMW Mouser 零件编号 162-A4G16QA8BVTDMW	ATP Electronics	存储器模块 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM	数据表	无库存交货期 29 周	¥957.1891	最低： 50 倍数： 50			SODIMMs	16 GB	DDR4	2666 MT/s	1.5 V
	存储器模块 A4B16Q18BVTDME ATP Electronics 受限供货情况	制造商零件编号 A4B16Q18BVTDME Mouser 零件编号 162-A4B16Q18BVTDME	ATP Electronics	存储器模块 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。				受限供货情况