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EMI垫片、金属薄片、吸收片和屏蔽片 IO,SnCu,NRS,PU,V0 .12 x .75 x 3in
- 4264FM51S00300
- Laird
-
1:
¥80.5125
-
无库存
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Mouser 零件编号
739-4264FM51S00300
|
Laird
|
EMI垫片、金属薄片、吸收片和屏蔽片 IO,SnCu,NRS,PU,V0 .12 x .75 x 3in
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无库存
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最低: 1
倍数: 1
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EMI垫片、金属薄片、吸收片和屏蔽片 EMI GASKET
- 4263AB51K00800
- Laird
-
1:
¥122.0061
-
无库存
|
Mouser 零件编号
739-4263AB51K00800
|
Laird
|
EMI垫片、金属薄片、吸收片和屏蔽片 EMI GASKET
|
|
无库存
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
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数字电位器 IC Dual 7B NV SPI POT
- MCP4261-503E/ST
- Microchip Technology
-
1:
¥13.2323
-
11,914库存量
|
Mouser 零件编号
579-MCP4261503EST
|
Microchip Technology
|
数字电位器 IC Dual 7B NV SPI POT
|
|
11,914库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
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数字电位器 IC Dual 7B NV SPI POT
- MCP4261T-103E/SL
- Microchip Technology
-
1:
¥13.2323
-
1,605库存量
|
Mouser 零件编号
579-MCP4261T103ESL
|
Microchip Technology
|
数字电位器 IC Dual 7B NV SPI POT
|
|
1,605库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,600
|
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功率电感器(SMD型) WE-PD3 680 uH 0.26 A 2.3Ohms
- 74454268
- Wurth Elektronik
-
1:
¥15.8765
-
686库存量
|
Mouser 零件编号
710-74454268
|
Wurth Elektronik
|
功率电感器(SMD型) WE-PD3 680 uH 0.26 A 2.3Ohms
|
|
686库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
600
|
|
|
|
|
数字电位器 IC Dual 7B NV SPI POT
- MCP4261-103E/SL
- Microchip Technology
-
1:
¥13.2323
-
3,017库存量
|
Mouser 零件编号
579-MCP4261-103-E/SL
|
Microchip Technology
|
数字电位器 IC Dual 7B NV SPI POT
|
|
3,017库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
数字电位器 IC Dual 7B NV SPI POT
- MCP4261T-502E/SL
- Microchip Technology
-
1:
¥13.1532
-
2,012库存量
|
Mouser 零件编号
579-MCP4261T502ESL
|
Microchip Technology
|
数字电位器 IC Dual 7B NV SPI POT
|
|
2,012库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,600
|
|
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数字电位器 IC Dual 8B NV SPI Rheo
- MCP4262T-103E/UN
- Microchip Technology
-
1:
¥13.2323
-
4,567库存量
|
Mouser 零件编号
579-MCP4262T103EUN
|
Microchip Technology
|
数字电位器 IC Dual 8B NV SPI Rheo
|
|
4,567库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
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薄膜电容器 1000V 0.10uF 5% LS=15mm
- PHE426PB6100JR06
- KEMET
-
1:
¥12.4074
-
2,943库存量
|
Mouser 零件编号
80-PHE426PB6100JR06
|
KEMET
|
薄膜电容器 1000V 0.10uF 5% LS=15mm
|
|
2,943库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
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|
|
铁氧体磁珠 WE-TMSB 1500 Ohms 500mA 0.5Ohms 0402
- 74269241152
- Wurth Elektronik
-
1:
¥1.1526
-
18,620库存量
|
Mouser 零件编号
710-74269241152
|
Wurth Elektronik
|
铁氧体磁珠 WE-TMSB 1500 Ohms 500mA 0.5Ohms 0402
|
|
18,620库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
10,000
|
|
|
|
|
功率电感器(SMD型) WE-LQS 68uH 540mA DCR=840mOhms AEC-Q200
- 74404042680
- Wurth Elektronik
-
1:
¥9.9214
-
3,309库存量
|
Mouser 零件编号
710-74404042680
|
Wurth Elektronik
|
功率电感器(SMD型) WE-LQS 68uH 540mA DCR=840mOhms AEC-Q200
|
|
3,309库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
功率电感器(SMD型) SMT FLAT COIL HIGH CURRENT INDUCTR
- PG0426.471NLT
- Pulse Electronics
-
1:
¥20.8485
-
1,346库存量
|
Mouser 零件编号
673-PG0426.471NLT
|
Pulse Electronics
|
功率电感器(SMD型) SMT FLAT COIL HIGH CURRENT INDUCTR
|
|
1,346库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,400
|
|
|
|
|
薄膜电容器 250V 0.033uF 5% LS=5mm
- PHE426HJ5330JR05
- KEMET
-
1:
¥3.9663
-
10,519库存量
|
Mouser 零件编号
80-PHE426HJ5330JR05
|
KEMET
|
薄膜电容器 250V 0.033uF 5% LS=5mm
|
|
10,519库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
薄膜电容器 250V 0.1uF 5% LS=5mm
- PHE426HJ6100FR05
- KEMET
-
1:
¥34.7362
-
1,968库存量
|
Mouser 零件编号
80-PHE426HJ6100FR05
|
KEMET
|
薄膜电容器 250V 0.1uF 5% LS=5mm
|
|
1,968库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频电感器(SMD型) Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
- BWLS0006040426NJ00
- Pulse Electronics
-
1:
¥3.3109
-
3,405库存量
|
Mouser 零件编号
673-BWLS06040426NJ00
|
Pulse Electronics
|
射频电感器(SMD型) Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
|
|
3,405库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
数字电位器 IC Dual 8B NV SPI Rheo
- MCP4262-502E/UN
- Microchip Technology
-
1:
¥13.899
-
11库存量
-
300预期 2026/11/16
|
Mouser 零件编号
579-MCP4262502EUN
|
Microchip Technology
|
数字电位器 IC Dual 8B NV SPI Rheo
|
|
11库存量
300预期 2026/11/16
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
数字电位器 IC Dual 8B NV SPI Rheo
- MCP4262-103E/MF
- Microchip Technology
-
1:
¥13.2323
-
78库存量
|
Mouser 零件编号
579-MCP4262-103E/MF
|
Microchip Technology
|
数字电位器 IC Dual 8B NV SPI Rheo
|
|
78库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
VCO振荡器 4267-4442MHz -40C to 85C
- CVCO55CC-4267-4442
- Crystek Corporation
-
1:
¥449.1976
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
549-CVCO55CC42674442
|
Crystek Corporation
|
VCO振荡器 4267-4442MHz -40C to 85C
|
|
4库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频电感器(SMD型) Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
- BWLS0006040426NK00
- Pulse Electronics
-
1:
¥3.3109
-
7,990库存量
|
Mouser 零件编号
673-BWLS06040426NK00
|
Pulse Electronics
|
射频电感器(SMD型) Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
|
|
7,990库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
数字电位器 IC Dual 7B NV SPI POT
- MCP4261-103E/ML
- Microchip Technology
-
1:
¥13.899
-
665库存量
|
Mouser 零件编号
579-MCP4261-103E/ML
|
Microchip Technology
|
数字电位器 IC Dual 7B NV SPI POT
|
|
665库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
薄膜电容器 630V 0.068uF 5% LS=15mm
- PHE426MB5680JR06
- KEMET
-
1:
¥9.1869
-
857库存量
|
Mouser 零件编号
80-PHE426MB5680JR06
|
KEMET
|
薄膜电容器 630V 0.068uF 5% LS=15mm
|
|
857库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
薄膜电容器 400V 1.5uF 5% LS=22.5mm
- PHE426KD7150JR06L2
- KEMET
-
1:
¥24.3967
-
173库存量
|
Mouser 零件编号
80-PHE426KD7150JR6L2
|
KEMET
|
薄膜电容器 400V 1.5uF 5% LS=22.5mm
|
|
173库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
薄膜电容器 630V 0.022uF 5% LS=5mm
- PHE426MJ5220JR05
- KEMET
-
1:
¥6.7009
-
2,961库存量
|
Mouser 零件编号
80-PHE426MJ5220JR05
|
KEMET
|
薄膜电容器 630V 0.022uF 5% LS=5mm
|
|
2,961库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
薄膜电容器 250V 0.047uF 5% LS=5mm
- PHE426HJ5470JR05
- KEMET
-
1:
¥5.4579
-
22库存量
-
6,000预期 2027/5/11
|
Mouser 零件编号
80-PHE426HJ5470JR05
|
KEMET
|
薄膜电容器 250V 0.047uF 5% LS=5mm
|
|
22库存量
6,000预期 2027/5/11
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
薄膜电容器 400V 0.0012uF 5% LS=7.5mm
- PHE426KK4120JR05
- KEMET
-
1:
¥7.119
-
414库存量
|
Mouser 零件编号
80-PHE426KK4120JR05
|
KEMET
|
薄膜电容器 400V 0.0012uF 5% LS=7.5mm
|
|
414库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|