ATSC汽车用高温硅电容器

Murata ATSC汽车用高温硅电容器面向处于汽车市场领域恶劣条件下的发动机罩下电子设备和传感器。深沟槽MOS电容器与独特的镶嵌结构和分布式沟槽电容器相结合,实现了出色的电气性能。在生产过程中,该电容器在+900°C的温度下固化,生成高纯度的氧化物,另外,该器件符合AEC-Q100标准,在高达200°C的温度下实现了较长的使用寿命。

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 电容 电压额定值 系列 最小工作温度 最大工作温度 资格 端接类型 封装
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Automotive Si Cap 10nF , -55/+200 C, 0202 [0.63 x 0.63 mm], Thickness : 250 m, BV: 30V 123库存量
剪切带
¥80.4786
¥60.0482
¥53.0196
¥47.3922
¥46.895
卷轴
¥37.3013
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
10 nF 16 V ATSC - 55 C + 200 C AEC-Q100 Wire Reel, Cut Tape
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Automotive Si Cap 1nF , -55/+200 C, 0202 [0.58 x 0.58 mm], Thickness : 250 m, BV: 30V 无库存交货期 20 周
卷轴
¥23.4136
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000
1 nF 16 V ATSC - 55 C + 200 C AEC-Q100 Wire Reel
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Automotive Si Cap 47nF, -55/+200 C, 0505 [1.29 x 1.29mm], Thickness : 250 m, BV: 30V 无库存交货期 20 周
卷轴
¥66.5005
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000
47 nF 16 V ATSC - 55 C + 200 C AEC-Q100 Wire Reel
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Automotive Si Cap 100nF , -55/+200 C, 0605 [1.56 x 1.29mm], Thickness : 250 m, BV: 30V 无库存交货期 20 周
卷轴
¥70.3086
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000
100 nF 16 V ATSC - 55 C + 200 C AEC-Q100 Wire Reel
Murata Electronics 935174736710-T3A
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 AEC-Q100 Low profile, High temperature
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
1 uF 16 V ATSC - 55 C + 200 C AEC-Q100 Wire Reel