基于硅的射频电容器/薄膜电容器

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超宽带硅电容器

Murata / IPDiA超宽带硅电容器是光通信系统（ROSA/TOSA、SONET等各种光电产品）以及高速数据系统和产品的理想选择。Murata超宽带硅电容器设计用于DC阻断、反馈、耦合与旁路接地应用。这些电容器在宽频率范围内具有低插入损耗、低反射和高相位稳定性（频率范围：UBSC/UBEC为16kHz至60GHz，ULSC/ULEC为16kHz至20GHz；UWSC在26GHz频率下具有高抑制性能）。这些深沟槽硅电容器均采用半导体MOS工艺开发。

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	电容	电压额定值	封装 / 箱体	容差	系列	温度系数	最小工作温度	最大工作温度	产品	端接类型	封装
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 High frequency, Low ESL, Ultra Broadband, Optical, Low profile 935152493547-T3N Murata Electronics 1,000: ¥10.9158 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935152493547-T3N Mouser 零件编号 81-935152493547-T3N	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 High frequency, Low ESL, Ultra Broadband, Optical, Low profile 了解更多关于Murata Electronics murata bbsc ubsc ulsc caps 的信息	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥10.9158 报价报价	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	47 nF	3.8 V	0201 (0806 metric)	15 %	UBSC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C	RF Capacitors	SMD/SMT	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 High frequency, Low ESL, Ultra Broadband, Optical, Low profile 935156793522-T3N Murata Electronics 1,000: ¥3.0623 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935156793522-T3N Mouser 零件编号 81-935156793522-T3N	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 High frequency, Low ESL, Ultra Broadband, Optical, Low profile 了解更多关于Murata Electronics murata bbsc ubsc ulsc caps 的信息	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥3.0623 ¥3.0397 ¥3.0284 ¥2.825	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	22 nF	3.8 V	0201 (0806 metric)	15 %	ULSC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C	RF Capacitors	SMD/SMT	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 High frequency, Low ESL, Ultra Broadband, Optical, 935151424610-T3N Murata Electronics 1,000: ¥13.8086 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935151424610-T3N Mouser 零件编号 961-935151424610	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 High frequency, Low ESL, Ultra Broadband, Optical, 了解更多关于Murata Electronics ipdia ultra broadband si caps 的信息	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥13.8086 ¥13.1532	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	100 nF	3.8 V		15 %	UBSC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C		SMD/SMT	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 .01UF 30V 0201 935151723510-T3N Murata Electronics 1,000: ¥9.8423 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935151723510-T3N Mouser 零件编号 961-935151723510	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 .01UF 30V 0201	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥9.8423 ¥9.3451 ¥9.1869	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	10 nF	3.8 V		15 %	UBSC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C		SMD/SMT	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Broadband low profile Silicon Capacitor 100nF, 60+GHz, -55/+150 C, 0402 [1.2 x 0.7 mm], Thickness : 100 m, BV: 11V 935152424610-T3N Murata Electronics 1,000: ¥15.7974 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935152424610-T3N Mouser 零件编号 961-935152424610	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Broadband low profile Silicon Capacitor 100nF, 60+GHz, -55/+150 C, 0402 [1.2 x 0.7 mm], Thickness : 100 m, BV: 11V 了解更多关于Murata Electronics ipdia ultra broadband si caps 的信息	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥15.7974 ¥15.0516	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	100 nF	3.8 V		15 %	UBSC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C		SMD/SMT	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Broadband low profile Silicon Capacitor 10nF, 60+GHz, -55/+150 C, 0201 [0.8 x 0.6 mm], Thickness : 100 m, BV: 30V 935152723510-T3N Murata Electronics 1,000: ¥10.9158 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935152723510-T3N Mouser 零件编号 961-935152723510	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Broadband low profile Silicon Capacitor 10nF, 60+GHz, -55/+150 C, 0201 [0.8 x 0.6 mm], Thickness : 100 m, BV: 30V	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥10.9158 报价报价	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	10 nF	3.8 V		15 %	UBSC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C		SMD/SMT	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Broadband low profile Silicon Capacitor 47nF, 60+GHz, -55/+150 C, 0402 [1.2 x 0.7 mm], Thickness : 100 m, BV: 30V 935152724547-T3N Murata Electronics 1,000: ¥16.3737 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935152724547-T3N Mouser 零件编号 961-935152724547	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Broadband low profile Silicon Capacitor 47nF, 60+GHz, -55/+150 C, 0402 [1.2 x 0.7 mm], Thickness : 100 m, BV: 30V	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥16.3737 报价报价	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	47 nF	3.8 V		15 %	UBSC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C		SMD/SMT	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 .022UF 30V 0201 935152783522-T3N Murata Electronics 1,000: ¥10.8367 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935152783522-T3N Mouser 零件编号 961-935152783522	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 .022UF 30V 0201	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥10.8367 ¥10.2604 报价报价	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	22 nF	3.8 V		15 %	UBSC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C		SMD/SMT	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 10PF 150V 0202 935153521310-T3T Murata Electronics 1,000: ¥22.4192 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935153521310-T3T Mouser 零件编号 961-935153521310	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 10PF 150V 0202	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥22.4192 ¥21.4248	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	100 pF				UWSC		- 55 C	+ 150 C		Wire	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond Si Cap 10nF, 26+GHz, -55/+150 C, 0303 [0.8 x 0.8mm], Thickness : 250 m, BV: 50V 935153630510-T3T Murata Electronics 1,000: ¥60.2968 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935153630510-T3T Mouser 零件编号 961-935153630510	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond Si Cap 10nF, 26+GHz, -55/+150 C, 0303 [0.8 x 0.8mm], Thickness : 250 m, BV: 50V	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥60.2968	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	10 nF				UWSC		- 55 C	+ 150 C		Wire	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond Si Cap 10nF, 26+GHz, -55/+150 C, 0202 [0.5 x 0.5mm], Thickness : 250 m, BV: 30V 935153831510-T3T Murata Electronics 1,000: ¥35.6515 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935153831510-T3T Mouser 零件编号 961-935153831510	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond Si Cap 10nF, 26+GHz, -55/+150 C, 0202 [0.5 x 0.5mm], Thickness : 250 m, BV: 30V	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥35.6515	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	10 nF				UWSC		- 55 C	+ 150 C		Wire	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond low profile Si Cap 100pF, 26+GHz, -55/+150 C, 0101 [0.25 x 0.25mm], Thickness : 100 m, BV: 150V 935154522310-W0T Murata Electronics 400: ¥9.0174 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935154522310-W0T Mouser 零件编号 961-935154522310	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond low profile Si Cap 100pF, 26+GHz, -55/+150 C, 0101 [0.25 x 0.25mm], Thickness : 100 m, BV: 150V	数据表	无库存交货期 20 周	¥9.0174 ¥8.0004 ¥5.0963	最低： 400 倍数： 400	100 pF				UWSC		- 55 C	+ 150 C		Wire	Waffle
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond low profile Si Cap 47pF, 26+GHz, -55/+150 C, 0201 [0.5 x 0.25mm], Thickness : 100 m, BV: 150V 935154528247-W0T Murata Electronics 400: ¥5.8986 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935154528247-W0T Mouser 零件编号 961-935154528247	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond low profile Si Cap 47pF, 26+GHz, -55/+150 C, 0201 [0.5 x 0.25mm], Thickness : 100 m, BV: 150V	数据表	无库存交货期 20 周	¥5.8986	最低： 400 倍数： 400	47 pF				UWSC		- 55 C	+ 150 C		Wire	Waffle
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond low profile Si Cap 150pF, 26+GHz, -55/+150 C, 015015 [0.381.x.0.381mm], Thickness : 100 m, BV: 150V 935154529315-W0T Murata Electronics 400: ¥8.5202 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935154529315-W0T Mouser 零件编号 961-935154529315	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond low profile Si Cap 150pF, 26+GHz, -55/+150 C, 015015 [0.381.x.0.381mm], Thickness : 100 m, BV: 150V	数据表	无库存交货期 20 周	¥8.5202 ¥8.2716 ¥5.3449	最低： 400 倍数： 400	150 pF				UWSC		- 55 C	+ 150 C		Wire	Waffle
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1000PF 50V 15% 0101 935154632410-W0T Murata Electronics 400: ¥19.1083 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935154632410-W0T Mouser 零件编号 961-935154632410	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1000PF 50V 15% 0101	数据表	无库存交货期 20 周	¥19.1083 ¥16.7127 ¥10.2604	最低： 400 倍数： 400	1 nF				UWSC		- 55 C	+ 150 C		Wire	Waffle
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond low profile Si Cap 1nF, 26+GHz, -55/+150 C, 0101 [0.25 x 0.25mm], Thickness : 100 m, BV: 30V 935154832410-W0T Murata Electronics 400: ¥8.2603 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935154832410-W0T Mouser 零件编号 961-935154832410	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond low profile Si Cap 1nF, 26+GHz, -55/+150 C, 0101 [0.25 x 0.25mm], Thickness : 100 m, BV: 30V	数据表	无库存交货期 20 周	¥8.2603 ¥8.2377 ¥7.7744	最低： 400 倍数： 400	1 nF				UWSC		- 55 C	+ 150 C		Wire	Waffle
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 0.1UF 11V 0402 935155424610-T3N Murata Electronics 1,000: ¥10.0118 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935155424610-T3N Mouser 零件编号 961-935155424610	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 0.1UF 11V 0402 了解更多关于Murata Electronics ipdia ultra broadband si caps 的信息	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥10.0118 ¥9.5146 ¥9.4242	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	100 nF	3.8 V		15 %	ULSC		- 55 C	+ 150 C	Silicon Capacitors	SMD/SMT	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Large band Silicon Capacitor 10nF, 20GHz, -55/+150 C, 0201 [0.8 x 0.6 mm], Thickness : 400 m, BV: 30V 935155733510-T3N Murata Electronics 1,000: ¥3.4239 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935155733510-T3N Mouser 零件编号 961-935155733510	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Large band Silicon Capacitor 10nF, 20GHz, -55/+150 C, 0201 [0.8 x 0.6 mm], Thickness : 400 m, BV: 30V	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥3.4239 ¥2.4182	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	10 nF	3.8 V		15 %	ULSC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C		SMD/SMT	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 High frequency, Low ESL, Ultra Broadband, Optical, Low profile 935156424610-T3N Murata Electronics 1,000: ¥10.0118 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935156424610-T3N Mouser 零件编号 961-935156424610	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 High frequency, Low ESL, Ultra Broadband, Optical, Low profile 了解更多关于Murata Electronics ipdia ultra broadband si caps 的信息	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥10.0118 ¥9.5146 ¥9.4242	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	100 nF	3.8 V		15 %	ULSC		- 55 C	+ 150 C	Silicon Capacitors	SMD/SMT	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Large band low profile Silicon Capacitor 10nF, 20GHz, -55/+150 C, 0201 [0.8 x 0.6 mm], Thickness : 100 m, BV: 30V 935156733510-T3N Murata Electronics 1,000: ¥3.0623 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935156733510-T3N Mouser 零件编号 961-935156733510	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Large band low profile Silicon Capacitor 10nF, 20GHz, -55/+150 C, 0201 [0.8 x 0.6 mm], Thickness : 100 m, BV: 30V	数据表	无库存交货期 20 周	卷轴 ¥3.0623 ¥3.0284 ¥2.8476	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	10 nF	3.8 V		15 %	ULSC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C		SMD/SMT	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Broadband Embedding/Wire bonding Si Cap 10nF 60+GHz, -55/+150 C, 0201M [0.6 x 0.3 mm], Thickness : 100 m, BV: 11V 935157425510-W0A Murata Electronics 400: ¥17.289 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935157425510-W0A Mouser 零件编号 961-935157425510	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Broadband Embedding/Wire bonding Si Cap 10nF 60+GHz, -55/+150 C, 0201M [0.6 x 0.3 mm], Thickness : 100 m, BV: 11V	数据表	无库存交货期 20 周	¥17.289 ¥13.4809 报价报价	最低： 400 倍数： 400	10 nF	3.8 V		15 %	UBEC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C		Wire	Waffle
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Broadband Embedding/Wire bonding Si Cap 1nF 60+GHz, -55/+150 C, 0201M [0.6.x.0.3mm], Thickness : 100 m, BV: 30V 935157725410-W0A Murata Electronics 400: ¥13.6504 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935157725410-W0A Mouser 零件编号 961-935157725410	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Broadband Embedding/Wire bonding Si Cap 1nF 60+GHz, -55/+150 C, 0201M [0.6.x.0.3mm], Thickness : 100 m, BV: 30V	数据表	无库存交货期 20 周	¥13.6504 ¥13.4809 报价报价	最低： 400 倍数： 400	1 nF	3.8 V		15 %	UBEC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C		Wire	Waffle
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Broadband Embedding/Wire bonding Si Cap 5.6nF 60+GHz, -55/+150 C, 0201M [0.6.x.0.3mm], Thickness : 100 m, BV: 30V 935157725456-W0A Murata Electronics 400: ¥13.6504 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 935157725456-W0A Mouser 零件编号 961-935157725456	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra Broadband Embedding/Wire bonding Si Cap 5.6nF 60+GHz, -55/+150 C, 0201M [0.6.x.0.3mm], Thickness : 100 m, BV: 30V	数据表	无库存交货期 20 周	¥13.6504 ¥13.4809 报价报价	最低： 400 倍数： 400	5.6 nF	3.8 V		15 %	UBEC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C		Wire	Waffle
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 935151493547-T3N Murata Electronics 受限供货情况	制造商零件编号 935151493547-T3N Mouser 零件编号 81-935151493547-T3N	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器了解更多关于Murata Electronics murata bbsc ubsc ulsc caps 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	47 nF	3.8 V	0201 (0806 metric)	15 %	UBSC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C	RF Capacitors	SMD/SMT	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 935151724547-T3N Murata Electronics 受限供货情况	制造商零件编号 935151724547-T3N Mouser 零件编号 81-935151724547-T3N	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器了解更多关于Murata Electronics murata bbsc ubsc ulsc caps 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	47 nF	3.8 V	0503 (1207 metric)	15 %	UBSC	70 PPM / C	- 55 C	+ 150 C	RF Capacitors	SMD/SMT	Reel

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