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0.047 uF SMD/SMT 基于硅的射频电容器/薄膜电容器

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量	电容	封装 / 箱体	最小工作温度	最大工作温度	封装
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 935152493547-T3S Murata Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 935152493547-T3S Mouser 零件编号 81-935152493547-T3S 新产品	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器	数据表	受限供货情况	0.047 uF	0201 (0806 metric)	- 55 C	+ 150 C	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 935156493547-T3S Murata Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 935156493547-T3S Mouser 零件编号 81-935156493547-T3S 新产品	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器	数据表	受限供货情况	0.047 uF	0201 (0806 metric)	- 55 C	+ 150 C	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 939114493547-T3S Murata Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 939114493547-T3S Mouser 零件编号 81-939114493547-T3S 新产品	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器	数据表	受限供货情况	0.047 uF	0201 (0806 metric)	- 55 C	+ 150 C	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 939118493547-T3N Murata Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 939118493547-T3N Mouser 零件编号 81-939118493547-T3N 新产品	Murata Electronics	基于硅的射频电容器/薄膜电容器	数据表	受限供货情况	0.047 uF	0201 (0806 metric)	- 55 C	+ 150 C	Reel

0.047 uF SMD/SMT 基于硅的射频电容器/薄膜电容器

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