Tray SMD/SMT 基于硅的射频电容器/薄膜电容器

结果: 12
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数量 RoHS ECAD模型 电容
电压额定值
封装 / 箱体
容差
系列
温度系数
最小工作温度
最大工作温度
封装


KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MLC C/E/H
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1

160 pF 3.6 kV 3838 (9797 metric) 2 % 100E 90 PPM / C - 55 C + 125 C Tray
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MLC C/E/H
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

22 pF 3.6 kV 3838 (9797 metric) 5 % 700E - 55 C + 125 C Tray
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MLC C/E/H
数据表
13库存量
最低： 1
倍数： 1

300 pF 3.6 kV 3838 (9797 metric) 5 % 700E - 55 C + 125 C Tray
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MLC C/E/H
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

390 pF 3.6 kV 3838 (9797 metric) 5 % 700E - 55 C + 125 C Tray
KYOCERA AVX 100C510JW2500XJ36
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MLC C/E/H
数据表
37库存量
最低： 1
倍数： 1

51 pF 2.5 kV 2325 (5864 metric) 5 % 100C 90 PPM / C - 55 C + 125 C Tray
KYOCERA AVX 100E151JEN3600X
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 3600V 150pF 5%
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

150 pF 3.6 kV 3838 (9797 metric) 5 % 100E 90 PPM / C - 55 C + 125 C Tray
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器
数据表
32工厂有库存
更多信息可用
最低： 16
倍数： 16

390 pF 3.6 kV 3838 (9797 metric) 5 % 100E 90 PPM / C - 55 C + 125 C Tray
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MLC C/E/H
数据表
48工厂有库存
更多信息可用
最低： 24
倍数： 24

4.7 pF 3.6 kV 3838 (9797 metric) 0.25 pF 700E - 55 C + 125 C Tray
KYOCERA AVX 100C102KW1000XJ36
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MLC C/E/H
数据表
36工厂有库存
更多信息可用
最低： 36
倍数： 36

1000 pF 1 kV 2325 (5864 metric) 10 % 100C 90 PPM / C - 55 C + 125 C Tray
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MLC C/E/H
数据表
无库存交货期 33 周
最低： 24
倍数： 24

100 pF 3.6 kV 3838 (9696 metric) 20 % 100E 90 PPM / C - 55 C + 125 C Tray
KYOCERA AVX 100C182KTN500XJ36
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MLC C/E/H
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

1800 pF 500 V 2325 (5864 metric) 10 % 100C 90 PPM / C - 55 C + 125 C Tray
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 3600V 510pF .38x.38" 1% Laser Marking
数据表

510 pF 3.6 kV 3838 (9696 metric) 5 % 800E 0 PPM / C - 55 C + 125 C Tray