Ampleon 射频与无线产品

各种射频和无线产品

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Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL 391库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10/TO270/REEL 110库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S100/TO270/REEL 264库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30/TO270/REEL 329库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70G/TO270/REEL 200库存量
400预期 2026/12/21
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP2425M10S250P/OMP-78/REELDP 82库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP 48库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP 57库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/REELD 179库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9LA25SG/TO270/REEL 198库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2735L-50/SOT1135/TRAY 69库存量
最低: 1
倍数: 1

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY 42库存量
最低: 1
倍数: 1

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY 50库存量
最低: 1
倍数: 1

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1275/REEL 79库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/REEL 90库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/REEL 100库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/REEL 97库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-350A/SOT1273/REELDP 96库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP 35库存量
最低: 1
倍数: 1

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10G/TO270/REEL 38库存量
500预期 2026/10/12
最低: 1
倍数: 1
: 500

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70/TO270/REEL 27库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP5LA55S/TO270/REEL 41库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
1,500预期 2026/9/18
最低: 1
倍数: 1
: 500

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30G/TO270/REEL
4,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
120预期 2026/11/10
最低: 1
倍数: 1