Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 271
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP 29库存量
100预期 2026/8/24
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0427M9S20G/TO270/REEL 112库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30G/TO270/REEL 34库存量
100预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 32 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981S/SOT467/TRAY 55库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 24 dB 170 W + 225 C SMD/SMT SOT-467B-2 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981/SOT467/TRAY 26库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 24 dB 170 W + 225 C SMD/SMT SOT-467C-2 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP981/TO270/REEL 43库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 23.8 dB 170 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1 Reel, Cut Tape
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY 118库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel GaN SiC 50 V 2.4 GHz to 2.5 GHz 16 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT1214B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K9FHU/SOT1214/TRAY 125库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 69 mOhms 1 MHz to 500 MHz 24.6 dB 1.9 kW + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL 78库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 29 dB + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6G-2-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART450FE/SOT1121/TRAY 221库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 340 mOhms 1 MHz to 650 MHz 27 dB 450 W + 225 C Screw Mount SOT1121A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PEG/REEL 100库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PE/REELDP 62库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART700FHS/SOT1214/TRAY 57库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 171 mOhms 1 MHz to 450 MHz 28.6 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT1214B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART800PEG/OMP780/REEL 79库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 200 mOhms 1 MHz to 650 MHz 29.2 dB 800 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4G-1-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF944P/SOT1228/TRAY 56库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 32 V 300 mOhms 1.3 GHz 20.3 dB 135 W + 225 C Screw Mount SOT1228A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP5LA55SG/TO270/REEL 149库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 30 V 60 mOhms 520 MHz 19.6 dB 55 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FES/SOT539/TRAY 434库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray


Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART35FE/SOT467C/TRAY 228库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 65 V 1.6 Ohms 1 MHz to 650 MHz 31 dB 35 W + 225 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART700FH/SOT1214/TRAY 87库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 171 mOhms 1 MHz to 450 MHz 28.6 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT1214A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP 303库存量
最低: 1
倍数: 1
: 300

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 33.5 dB 49.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY 110库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD 105库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 45.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.5 dB 500 W + 225 C SMD/SMT SOT1250-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF647P/SOT1121/TRAY 183库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 18 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT-1121A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF974P/SOT539/TRAY 143库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 700 MHz 25.7 dB 500 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY 115库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 19 dB 600 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray