射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 33

已应用过滤器:

Id-连续漏极电流

Vds-漏源极击穿电压

工作频率

增益

输出功率

最小工作温度

安装风格

封装 / 箱体

封装

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V AFT05MP075GNR1 NXP Semiconductors 1: ¥305.7102 282库存量寿命结束	制造商零件编号 AFT05MP075GNR1 Mouser 零件编号 841-AFT05MP075GNR1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V	数据表	282库存量	剪切带 ¥305.7102 ¥247.9672 ¥231.8082 ¥224.5084 查看卷轴 ¥199.0608 ¥217.6493 ¥211.4795 ¥199.0608 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 500		N-Channel	Si	8 A	40 V	136 MHz to 520 MHz	18.5 dB	70 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	TO-270-WBG-4	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V MHT1803A NXP Semiconductors 1: ¥347.4072 172库存量寿命结束	制造商零件编号 MHT1803A Mouser 零件编号 771-MHT1803A 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V		172库存量	¥347.4072 ¥282.1836 ¥263.5951 ¥259.0864 查看 ¥242.7466 ¥229.7177 报价	最低： 1 倍数： 1		N-Channel	Si			1.8 MHz to 50 MHz	28.2 dB	330 W		+ 150 C	Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V MRF101BN NXP Semiconductors 1: ¥355.3963 563库存量寿命结束	制造商零件编号 MRF101BN Mouser 零件编号 771-MRF101BN 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V	数据表	563库存量	¥355.3963 ¥288.7037 ¥278.2738 ¥261.7645 查看 ¥253.6963 ¥250.8261 报价	最低： 1 倍数： 1	否	N-Channel	Si	8.8 A	133 V	1.8 MHz to 250 MHz	21.1 dB	115 W	- 40 C	+ 150 C	Through Hole	TO-220-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V AFM907NT1 NXP Semiconductors 1: ¥41.2563 16,988库存量寿命结束	制造商零件编号 AFM907NT1 Mouser 零件编号 841-AFM907NT1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V	数据表	16,988库存量	剪切带 ¥41.2563 ¥31.3575 ¥28.8376 ¥26.0578 卷轴 ¥23.278 查看 ¥24.747 ¥23.9673 ¥22.8373 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000		N-Channel	Si	3 A	30 V	136 MHz to 941 MHz	15 dB	8 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	DFN-16	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V AFT05MP075NR1 NXP Semiconductors 1: ¥395.7034 483库存量寿命结束	制造商零件编号 AFT05MP075NR1 Mouser 零件编号 841-AFT05MP075NR1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V	数据表	483库存量	剪切带 ¥395.7034 ¥321.9596 ¥302.1507 ¥298.0714 查看卷轴 ¥267.9343 ¥282.7034 ¥279.6637 ¥267.9343 报价 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 500		N-Channel	Si	8 A	40 V	136 MHz to 520 MHz	18.5 dB	70 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	TO-270-WB-4	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V MRFE6VP61K25HR5 NXP Semiconductors 1: ¥3,751.6565 67库存量 100预期 2026/12/1 寿命结束	制造商零件编号 MRFE6VP61K25HR5 Mouser 零件编号 841-MRFE6VP61K25HR5 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V	数据表	67库存量 100预期 2026/12/1	剪切带 ¥3,751.6565 ¥3,253.6429 ¥3,129.3542 卷轴 ¥3,054.3109 查看报价 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 50		N-Channel	Si	30 A	133 V	1.8 MHz to 600 MHz	24 dB	1.25 kW		+ 150 C	Screw Mount	NI-1230H-4	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V MRFX1K80NR5 NXP Semiconductors 1: ¥3,066.9104 41库存量寿命结束	制造商零件编号 MRFX1K80NR5 Mouser 零件编号 771-MRFX1K80NR5 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V	数据表	41库存量	剪切带 ¥3,066.9104 ¥2,646.9911 ¥2,542.0593 卷轴 ¥2,478.8358 查看报价	最低： 1 倍数： 1 : 50		N-Channel	Si	43 A	179 V	1.8 MHz to 400 MHz	24.4 dB	1.8 kW	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	OM-1230-4	Reel, Cut Tape
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V MRF1K50NR5 NXP Semiconductors 1: ¥3,106.6864 24库存量寿命结束	制造商零件编号 MRF1K50NR5 Mouser 零件编号 841-MRF1K50NR5 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V	数据表	24库存量	剪切带 ¥3,106.6864 ¥2,682.0663 ¥2,576.0271 卷轴 ¥2,512.1934 查看报价	最低： 1 倍数： 1 : 50		N-Channel	Si	36 A	133 V	1.8 MHz to 500 MHz	23 dB	1.5 kW	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	OM-1230-4	Reel, Cut Tape
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V MRFE6S9060NR1 NXP Semiconductors 1: ¥876.0777 500预期 2026/9/28 寿命结束	制造商零件编号 MRFE6S9060NR1 Mouser 零件编号 841-MRFE6S9060NR1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V	数据表	500预期 2026/9/28	剪切带 ¥876.0777 ¥730.4207 ¥713.9227 ¥679.9549 查看卷轴 ¥643.2299 ¥651.9083 ¥651.6484 ¥643.2299 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 500		N-Channel	Si	1.5 A	66 V	1 GHz	21.1 dB	14 W		+ 150 C	Screw Mount	TO-270	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L NXP Semiconductors MHT1803B MHT1803B NXP Semiconductors 1: ¥351.0458 210库存量寿命结束	制造商零件编号 MHT1803B Mouser 零件编号 771-MHT1803B 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L		210库存量	¥351.0458 ¥285.2233 ¥267.7648 ¥263.2448 查看 ¥247.0067 ¥243.0065 报价	最低： 1 倍数： 1		N-Channel	Si			1.8 MHz to 50 MHz	28.2 dB	300 W		+ 150 C	Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V NXP Semiconductors AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 NXP Semiconductors 1: ¥179.0033 623库存量寿命结束	制造商零件编号 AFT27S006NT1 Mouser 零件编号 841-AFT27S006NT1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V	数据表	623库存量	剪切带 ¥179.0033 ¥142.606 ¥132.888 ¥130.3568 查看卷轴 ¥111.1807 ¥123.4977 ¥118.7178 ¥116.8081 ¥111.1807 报价	最低： 1 倍数： 1 : 1,000		N-Channel	Si		65 V	728 MHz to 3.7 GHz	16 dB	28.8 dBm	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	PLD-1.5W	Reel, Cut Tape
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V MRF101AN NXP Semiconductors 1: ¥400.3816 980预期 2026/10/15 寿命结束	制造商零件编号 MRF101AN Mouser 零件编号 771-MRF101AN 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V	数据表	980预期 2026/10/15	¥400.3816 ¥327.6096 ¥314.5807 ¥297.2013 查看 ¥289.4834 ¥280.7937	最低： 1 倍数： 1		N-Channel	Si	8.8 A	133 V	1.8 MHz to 250 MHz	21.1 dB	115 W	- 40 C	+ 150 C	Through Hole	TO-220-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V MRF300AN NXP Semiconductors 1: ¥801.735 5库存量寿命结束	制造商零件编号 MRF300AN Mouser 零件编号 771-MRF300AN 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V	数据表	5库存量	¥801.735 ¥664.1575 ¥646.7894 ¥615.3415 ¥594.154	最低： 1 倍数： 1		N-Channel	Si	30 A	133 V	1.8 MHz to 250 MHz	20.4 dB	330 W	- 40 C	+ 150 C	Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V AFM906NT1 NXP Semiconductors 1: ¥34.1373 97库存量 1,000预期 2026/10/8 寿命结束	制造商零件编号 AFM906NT1 Mouser 零件编号 841-AFM906NT1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V	数据表	97库存量 1,000预期 2026/10/8	剪切带 ¥34.1373 ¥25.1877 ¥22.6678 ¥21.9785 卷轴 ¥17.289 查看 ¥20.4982 ¥19.1083 ¥18.0687 ¥16.5884	最低： 1 倍数： 1 : 1,000		N-Channel	Si	4.7 A	30 V	136 MHz to 941 MHz	16.2 dB	6.5 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	HVSON-16	Reel, Cut Tape
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V AFT05MS004NT1 NXP Semiconductors 1: ¥40.1263 72库存量 44,000在途量寿命结束	制造商零件编号 AFT05MS004NT1 Mouser 零件编号 841-AFT05MS004NT1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V	数据表	72库存量 44,000在途量订单发货日期制造商编号： AFT05MS004NT1 库存： 72 可立即发货在途量: 8,000 预期 2026/12/7 12,000 预期 2027/1/4 24,000 待定生产周期： 53 周	剪切带 ¥40.1263 ¥27.8884 ¥25.0973 ¥24.408 查看卷轴 ¥19.3682 ¥22.8373 ¥21.5378 ¥20.4982 ¥19.3682 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000		N-Channel	Si	4 A	30 V	136 MHz to 941 MHz	20.9 dB	4.9 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT-89-3	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V AFT05MS031GNR1 NXP Semiconductors 1: ¥334.819 10库存量 7,000在途量寿命结束	制造商零件编号 AFT05MS031GNR1 Mouser 零件编号 841-AFT05MS031GNR1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V	数据表	10库存量 7,000在途量订单发货日期制造商编号： AFT05MS031GNR1 库存： 10 可立即发货在途量: 2,000 预期 2027/3/22 5,000 预期 2027/4/8 生产周期： 53 周	剪切带 ¥334.819 ¥272.0136 ¥256.2953 ¥239.0176 ¥231.2884 卷轴 ¥225.8192 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 500		N-Channel	Si	7.5 A	40 V	136 MHz to 520 MHz	17.7 dB	33 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	TO-270-2	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V AFT09MS031NR1 NXP Semiconductors 1: ¥199.1512 11库存量寿命结束	制造商零件编号 AFT09MS031NR1 Mouser 零件编号 841-AFT09MS031NR1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V	数据表	11库存量	剪切带 ¥199.1512 ¥157.8949 ¥142.7868 ¥140.0861 查看卷轴 ¥123.1587 ¥132.7072 ¥128.368 ¥123.1587 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 500		N-Channel	Si	10 A	40 V	764 MHz to 941 MHz	15.7 dB	32 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	TO-270-2	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V MRF6V10010NR4 NXP Semiconductors 1: ¥1,583.3108 1库存量寿命结束	制造商零件编号 MRF6V10010NR4 Mouser 零件编号 841-MRF6V10010NR4 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V	数据表	1库存量	剪切带 ¥1,583.3108 ¥1,343.0728 ¥1,279.8493 ¥1,260.8201 卷轴 ¥1,134.9833 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 100		N-Channel	Si		100 V	960 MHz to 1.4 GHz	25 dB	10 W	- 65 C	+ 150 C	Screw Mount	PLD-1.5	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V MRFE6VP6300HR5 NXP Semiconductors 1: ¥3,523.0462 5库存量 250预期 2026/12/14 寿命结束	制造商零件编号 MRFE6VP6300HR5 Mouser 零件编号 841-MRFE6VP6300HR5 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V	数据表	5库存量 250预期 2026/12/14	剪切带 ¥3,523.0462 ¥2,862.0301 卷轴 ¥2,862.0301 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 50		N-Channel	Si		130 V	1.8 MHz to 600 MHz	26.5 dB	300 W		+ 150 C	Screw Mount	NI-780-4	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V MRFX1K80HR5 NXP Semiconductors 1: ¥3,660.3638 734预期 2026/12/21 寿命结束	制造商零件编号 MRFX1K80HR5 Mouser 零件编号 771-MRFX1K80HR5 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V	数据表	734预期 2026/12/21	剪切带 ¥3,660.3638 ¥3,160.6213 卷轴 ¥3,160.6213	最低： 1 倍数： 1 : 50		N-Channel	Si	43 A	179 V	1.8 MHz to 400 MHz	25.1 dB	1.8 kW	- 40 C	+ 150 C	Screw Mount	NI-1230H-4	Reel, Cut Tape
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V AFT05MS031NR1 NXP Semiconductors 1: ¥209.05 6,999在途量寿命结束	制造商零件编号 AFT05MS031NR1 Mouser 零件编号 841-AFT05MS031NR1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V	数据表	6,999在途量订单发货日期制造商编号： AFT05MS031NR1 库存： 0 在途量: 1,999 预期 2027/3/22 5,000 预期 2027/4/8 生产周期： 53 周	剪切带 ¥209.05 ¥207.92 卷轴 ¥138.5267 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 500		N-Channel	Si	7.5 A	40 V	136 MHz to 520 MHz	17.7 dB	33 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	TO-270-2	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V MRF1K50HR5 NXP Semiconductors 1: ¥3,558.3135 100预期 2026/11/16 寿命结束	制造商零件编号 MRF1K50HR5 Mouser 零件编号 841-MRF1K50HR5 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V	数据表	100预期 2026/11/16	剪切带 ¥3,558.3135 ¥3,081.849 卷轴 ¥3,081.849 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 50		N-Channel	Si	36 A	135 V	1.8 MHz to 500 MHz	23.7 dB	1.5 kW	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	NI-1230H-4S	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 100 W AVG., 48 V NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3 AFV09P350-04NR3 NXP Semiconductors 1: ¥1,351.5817 248预期 2026/10/26 寿命结束	制造商零件编号 AFV09P350-04NR3 Mouser 零件编号 841-AFV09P350-04NR3 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 100 W AVG., 48 V	数据表	248预期 2026/10/26	剪切带 ¥1,351.5817 ¥1,146.611 ¥1,090.2014 ¥1,063.9741 ¥1,057.1941 卷轴 ¥1,057.1941	最低： 1 倍数： 1 : 250		N-Channel	Si		105 V	720 MHz to 960 MHz	19.2 dB	100 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	OM-780-4	Reel, Cut Tape
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V MRFE6VP5600HR6 NXP Semiconductors 1: ¥2,827.2826 50预期 2026/12/28 寿命结束	制造商零件编号 MRFE6VP5600HR6 Mouser 零件编号 841-MRFE6VP5600HR6 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V	数据表	50预期 2026/12/28	剪切带 ¥2,827.2826 ¥2,435.4099 ¥2,337.6197 ¥2,205.7713 卷轴 ¥2,205.7713 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 150		N-Channel	Si		130 V	1.8 MHz to 600 MHz	25 dB	600 W		+ 150 C	SMD/SMT	NI-1230	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V AFV10700GSR5 NXP Semiconductors 1: ¥7,886.3943 无库存交货期 53 周寿命结束	制造商零件编号 AFV10700GSR5 Mouser 零件编号 771-AFV10700GSR5 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V	数据表	无库存交货期 53 周	剪切带 ¥7,886.3943 ¥6,817.0414 卷轴 ¥6,817.0414	最低： 1 倍数： 1 : 50		N-Channel	Si	2.6 A	105 V	1.03 GHz to 1.09 GHz	19.2 dB	700 W	- 55 C	+ 150 C	SMD/SMT	NI-780GS-4L	Reel, Cut Tape