RF晶体管

结果: 793
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管类型 技术 工作频率 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 增益 资格 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
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RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2F-1-3 LDMOS 520 MHz 55 W + 225 C 19.6 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP981/TO270/REEL
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RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2F-1 LDMOS 170 W + 225 C 23.8 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1483-1-3 LDMOS 616 MHz to 960 MHz 30 W - 40 C + 125 C 18.3 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/TRAYD
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RF MOSFETs SMD/SMT OMP-1230-6F-1-7 LDMOS 617 MHz to 960 MHz 850 W - 40 C + 125 C 17.8 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP
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RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2G-1-3 LDMOS 941 MHz 25 W + 225 C 18.8 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9LA25S/TO270/REEL
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RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2F-1-3 LDMOS 941 MHz 25 W + 225 C 18.8 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9LA25S/SOT1482/REELDP
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2F-1-3 LDMOS 941 MHz 25 W + 225 C 18.8 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2729L-350/SOT502/TRAY
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RF MOSFETs Screw Mount SOT502A-3 LDMOS 2.7 GHz to 2.9 GHz 350 W + 225 C 14 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2729LS-350/SOT502/TRAY
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 2.7 GHz to 2.9 GHz 350 W + 225 C 14 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 2.7 GHz to 3.1 GHz 400 W + 225 C 13 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT502A-3 LDMOS 2.9 GHz to 3.4 GHz 400 W + 225 C 11 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 2.9 GHz to 3.4 GHz 400 W + 225 C 11 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY
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无库存交货期 16 周
¥3,184.8937
¥2,694.4737
最低: 1
倍数: 1
RF MOSFETs Screw Mount SOT502A-3 LDMOS 3.1 GHz to 3.5 GHz 400 W + 225 C 11 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1135B-3 LDMOS 3.1 GHz to 3.5 GHz 115 W + 225 C 14 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135LS-400/SOT502/TRAY
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 3.1 GHz to 3.5 GHz 400 W + 225 C 11 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLU9H0408L-800P/SOT539/TRAY
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT539A-5 LDMOS 400 MHz to 800 MHz 800 W + 225 C 20.5 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF24H4LS300P/SOT1214/REEL
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1214B-5 GaN SiC 2.4 GHz to 2.5 GHz 300 W + 225 C 16 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLL3H0914L-700/SOT502/TRAY
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT502A-3 GaN SiC 900 MHz to 1.4 GHz 700 W + 225 C 17 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLL3H0914LS-700/SOT502/TRAY
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 GaN SiC 900 MHz to 1.4 GHz 700 W + 225 C 17 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RF MOSFETs SMD/SMT DFN-6 GaN SiC 2.4 GHz to 2.5 GHz 30 W + 225 C 18.4 dB Reel
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
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RF MOSFETs Die MESFET GaAs 26 GHz 21 dBm + 150 C 15 dB Bulk
STMicroelectronics RF5L051K0CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
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RF MOSFETs LDMOS FET Si Tray
STMicroelectronics RF5L051K5CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RF MOSFETs LDMOS FET Si Tray
STMicroelectronics RF5L052K0CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
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RF MOSFETs LDMOS FET Si Tray
STMicroelectronics RF5L05500CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 550 W, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
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RF MOSFETs LDMOS FET Si Reel