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AFT05MP075N 系列射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V AFT05MP075GNR1 NXP Semiconductors 1: ¥306.7611 272库存量寿命结束	制造商零件编号 AFT05MP075GNR1 Mouser 零件编号 841-AFT05MP075GNR1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V	数据表	272库存量	剪切带 ¥306.7611 ¥248.5774 ¥233.9778 ¥232.8478 ¥219.0392 卷轴 ¥219.0392 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 500			N-Channel	Si	8 A	40 V	136 MHz to 520 MHz	18.5 dB	70 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	TO-270-WBG-4	Reel, Cut Tape, MouseReel
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V AFT05MP075NR1 NXP Semiconductors 1: ¥395.7034 478库存量寿命结束	制造商零件编号 AFT05MP075NR1 Mouser 零件编号 841-AFT05MP075NR1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V	数据表	478库存量	剪切带 ¥395.7034 ¥321.9596 ¥302.1507 ¥298.0714 查看卷轴 ¥267.9343 ¥282.7034 ¥279.6637 ¥267.9343 报价 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 500			N-Channel	Si	8 A	40 V	136 MHz to 520 MHz	18.5 dB	70 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	TO-270-WB-4	Reel, Cut Tape, MouseReel