SMD/SMT 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 405
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 1,533库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 11.5 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors 408库存量
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 16 A 125 V 150 MHz 17 dB 150 W + 200 C SMD/SMT 221-11-3
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB 340库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 16 A 65 V 400 MHz 12 dB 100 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 744A-01 Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS 1,332库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB 465库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 2.5 A 65 V 400 MHz 16 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor 3,649库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 15 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerFLAT (5x5) Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS 5,857库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB 524库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 500 mA 65 V 500 MHz 18 dB 2 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 305A-01 Tray
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS 1,009库存量
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 10 MHz to 4 GHz 12 dB 21.3 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0427M9S20G/TO270/REEL 97库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz 393库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 10 MHz to 4 GHz 12.3 dB 21.5 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT 1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm Reel, Cut Tape, MouseReel
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz 407库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 45 MHz to 6 GHz 8.9 dB 20.3 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT 1.4 mm x 1.2 mm Reel, Cut Tape, MouseReel

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 3库存量
最低: 1
倍数: 1
: 10

N-Channel GaAs 28 GHz 15 dB 24.5 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP 69库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30G/TO270/REEL 132库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 32 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor 228库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER 738库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel Si 15 mA 3 V 45 MHz to 6 GHz 20.9 dB 20 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB 8库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 60 A 125 V 80 MHz 21 dB 600 W - 65 C + 150 C SMD/SMT Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST 573库存量
最低: 1
倍数: 1
: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB 5库存量
360在途量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 900 mA 65 V 400 MHz 11 dB 5 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 9库存量
最低: 1
倍数: 1
: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 12 dB 30 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS 420库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

N-Channel Si 3 A 12 V 470 MHz 11.5 dB 36.5 dBm + 150 C SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1库存量
最低: 1
倍数: 1
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 16 dB 25 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 110库存量
最低: 1
倍数: 1
: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981S/SOT467/TRAY 55库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 24 dB 170 W + 225 C SMD/SMT SOT-467B-2 Tray