SMD/SMT 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 404
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4.2 GHz 36 dB 48.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502E-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-1200P/SOT539/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106.7 mOhms, 211.9 mOhms 1.452 GHz to 1.492 GHz 15 dB 350 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 215 mOhms, 323 mOhms 1.805 GHz to 2.025 GHz 15 dB 160 W + 225 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106.7 mOhms, 211.9 mOhms 1.452 GHz to 1.492 GHz 15 dB 350 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 65.3 mOhms, 111 mOhms 1.427 GHz to 1.518 GHz 17.4 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 135 mOhms, 210 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.6 dB 300 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 135 mOhms, 210 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.6 dB 300 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/TRAYD
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 135 mOhms, 210 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.6 dB 300 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AV/SOT1258/REELD
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 88 mOhms, 148 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.4 dB 360 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 88 mOhms, 148 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.4 dB 360 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1270/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 74 mOhms, 128 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.7 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/REELDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 58.4 mOhms, 111 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/TRAYDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 58.4 mOhms, 111 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-551AV/SOT539/REELDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 65.26 mOhms, 126.67 mOhms 1.93 GHz to 2 GHz 15 dB 160 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1258-5-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-551AV/SOT1258/TRAYD
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 65.26 mOhms, 126.67 mOhms 1.93 GHz to 2 GHz 15 dB 160 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1258-5-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-551AV/OMP-1230/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 65.26 mOhms, 126.67 mOhms 1.93 GHz to 2 GHz 15 dB 160 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1258-5-7 Reel