SMD/SMT 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 404
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-600AVT/SOT125/REELD
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 58.4 mOhms, 111 mOhms 1.93 GHz to 1.995 GHz 15 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-600AVT/SOT125/TRAYD
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 58.4 mOhms, 111 mOhms 1.93 GHz to 1.995 GHz 15 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 58.4 mOhms, 111 mOhms 1.93 GHz to 1.995 GHz 15 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/TRAYD
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 58.4 mOhms, 111 mOhms 1.93 GHz to 1.995 GHz 15 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 121 mOhms, 243 mOhms 2.1 GHz to 2.17 GHz 15 dB 300 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 121 mOhms, 243 mOhms 2.1 GHz to 2.17 GHz 15 dB 300 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 121 mOhms, 243 mOhms 2.1 GHz to 2.17 GHz 15 dB 300 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 74 mOhms, 128 mOhms 2.11 GHz to 2.2 GHz 16.3 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms, 170 mOhms 2.11 GHz to 2.2 GHz 15 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.1 GHz to 2.2 GHz 16 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.1 GHz to 2.2 GHz 16 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 65 mOhms, 111 mOhms 2.11 GHz to 2.18 GHz 15.7 dB 570 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/REELDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 58.4 mOhms, 111 mOhms 2.11 GHz to 2.17 GHz 15 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 58.4 mOhms, 111 mOhms 2.11 GHz to 2.17 GHz 15 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 57.4 mOhms, 111 mOhms 2.11 GHz to 2.17 GHz 15.4 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 57.4 mOhms, 111 mOhms 2.11 GHz to 2.17 GHz 15.4 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 54.7 mOhms, 111 mOhms 2.11 GHz to 2.17 GHz 15.4 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/TRAYD
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 54.7 mOhms, 111 mOhms 2.11 GHz to 2.17 GHz 15.4 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/REELD
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 96.6 mOhms, 170 mOhms 2.5 GHz to 2.7 GHz 15.4 dB 320 W + 225 C SMD/SMT SOT1258-1-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/TRAYD
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 96.6 mOhms, 170 mOhms 2.5 GHz to 2.7 GHz 15.4 dB 320 W + 225 C SMD/SMT SOT1258-1-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/TRAYDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 90.1 mOhms, 155.8 mOhms 2.496 GHz to 2.69 GHz 13.3 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 45.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.5 dB 500 W + 225 C SMD/SMT SOT1250-1-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9G21LS-60AV/SOT1275/REELDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms, 1.135 Ohms 1.805 GHz to 2.2 GHz 17.5 dB 60 W + 225 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Reel