SMD/SMT 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 405
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9H0610S-60PG/OMP-780/REELDP 201库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

LDMOS 48 V 600 MHz to 1 GHz 35.5 dB 45.3 dBm + 125 C SMD/SMT OMP-780-16G-1-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0408H9S30/TO270/REEL 190库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 1.2 Ohms 400 MHz to 860 MHz 20.2 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0427M9S20/TO270/REEL 98库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP05H9S500P/OMP-780/REELDP 110库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 120 mOhms 423 MHz to 443 MHz 25.2 dB 500 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL 166库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL 563库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10G/TO270/REEL 254库存量
500预期 2026/12/2
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel LDMOS 50 V 3.2 Ohms 2 GHz 21 dB 10 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10/TO270/REEL 111库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 3.2 Ohms 2 GHz 21 dB 10 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S100/TO270/REEL 264库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 143 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30/TO270/REEL 329库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 370 mOhms 2 GHz 19.3 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70G/TO270/REEL 300库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 185 mOhms 2 GHz 19.3 dB 70 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP2425M10S250P/OMP-78/REELDP 82库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 95 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 15 dB 250 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP 48库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 48 V 250 mOhms, 370 mOhms 600 MHz to 960 MHz 18.6 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP 57库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 48 V 174 mOhms, 250 mOhms 600 MHz to 960 MHz 19 dB 500 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-780-6F-1-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/REELD 179库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 48 V 107 mOhms, 155 mOhms 617 MHz to 960 MHz 17.8 dB 850 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-1230-6F-1-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9LA25SG/TO270/REEL 178库存量
25预期 2026/8/28
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 40 V 128 mOhms 941 MHz 18.8 dB 25 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY 42库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 65 V 300 mOhms 2.7 GHz to 3.5 GHz 12 dB 50 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY 50库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel GaN Si 50 V 240 mOhms 0 Hz to 3.5 GHz 15 dB 100 W + 300 C SMD/SMT SOT467B-3 Tray
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V 43库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V 114库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan 105库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 4 A 25 V 1 GHz 12 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 45库存量
400预期 2026/10/2
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 7 A 40 V 1 GHz 14.5 dB 25 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp 3库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243 Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB 5库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 1 A 65 V 500 MHz 18 dB 4 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 249-06 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB 5库存量
40预期 2027/2/5
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 26 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 11.2 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray