SMD/SMT 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 405
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB 14库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 12 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 100 W - 55 C + 150 C SMD/SMT 744A-01 Tray

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30库存量
最低: 10
倍数: 10

N-Channel GaAs 26 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1275/REEL 79库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 74 mOhms, 128 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.7 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/REEL 90库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/REEL 100库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 65 mOhms, 111 Ohms 2.11 GHz to 2.18 GHz 15.7 dB 570 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/REEL 97库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 6.4 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-350A/SOT1273/REELDP 96库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 50 V 203 mOhms, 300 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.1 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP 35库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 203 mOhms, 300 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.1 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-stage power MMIC 41库存量
100预期 2026/9/4
最低: 1
倍数: 1
: 100

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 33 dB 45.1 W + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30G/TO270/REEL 30库存量
200预期 2026/9/29
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 21 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70/TO270/REEL 47库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 185 mOhms 2 GHz 17.8 dB 70 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP5LA55S/TO270/REEL 46库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 30 V 60 mOhms 520 MHz 19.6 dB 55 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors AFT27S006NT1
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V 623库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

N-Channel Si 65 V 728 MHz to 3.7 GHz 16 dB 28.8 dBm - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5W Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V 97库存量
1,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

N-Channel Si 4.7 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 16.2 dB 6.5 W - 40 C + 150 C SMD/SMT HVSON-16 Reel, Cut Tape
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
290预期 2027/4/12
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 4.5 A 65 V 150 MHz 17 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
150预期 2027/1/6
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 9 A 65 V 200 MHz 13 dB 80 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
1,500预期 2026/9/18
最低: 1
倍数: 1
: 500

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.3 dB 44.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30G/TO270/REEL
4,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 21 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
2,000预期 2027/3/22
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 17.7 dB 33 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
100预期 2026/10/19
最低: 1
倍数: 1
: 50

N-Channel Si 36 A 135 V 1.8 MHz to 500 MHz 23.7 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT NI-1230H-4S Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
150预期 2026/11/26
最低: 1
倍数: 1
: 150

N-Channel Si 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
50预期 2026/9/25
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP
200预期 2026/11/26
最低: 1
倍数: 1
: 100

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 28.3 dB 45.4 dBm + 150 C SMD/SMT OMP-780-16G-1-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100G/TO270/REEL
300在途量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100G/TO270/REEL
450预期 2026/9/9
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel