射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 587
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981/SOT467/TRAY 59库存量
¥1,160.7586
¥972.0825
¥922.532
最低: 1
倍数: 1
N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 24 dB 170 W + 225 C SMD/SMT SOT-467C-2 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP981/TO270/REEL 39库存量
剪切带
¥531.2808
¥439.1406
¥416.1451
卷轴
¥406.6305
¥393.3191
最低: 1
倍数: 1
: 100
N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 23.8 dB 170 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor 20库存量
剪切带
¥1,455.4739
¥1,160.3405
卷轴
¥1,160.3405
最低: 1
倍数: 1
: 120
N-Channel Si 2.5 A 65 V 1 Ohms 1.6 GHz 14 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K9FHU/SOT1214/TRAY 68库存量
¥2,287.2669
¥1,931.6672
¥1,865.4944
最低: 1
倍数: 1
Dual N-Channel LDMOS 55 V 69 mOhms 1 MHz to 500 MHz 24.6 dB 1.9 kW + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL 78库存量
剪切带
¥2,513.3234
¥2,165.3399
¥2,078.4881
卷轴
¥2,064.2614
最低: 1
倍数: 1
: 100
Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 29 dB + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6G-2-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART450FE/SOT1121/TRAY 197库存量
¥1,498.5608
¥1,274.4027
¥1,193.6755
最低: 1
倍数: 1
Dual N-Channel LDMOS 65 V 340 mOhms 1 MHz to 650 MHz 27 dB 450 W + 225 C Screw Mount SOT1121A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY 113库存量
¥2,448.8117
¥2,057.2328
¥1,994.0319
最低: 1
倍数: 1
Dual N-Channel GaN SiC 50 V 2.4 GHz to 2.5 GHz 16 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT1214B-5 Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz 18库存量
剪切带
¥1,610.9732
¥1,305.4212
卷轴
¥1,305.4212
最低: 1
倍数: 1
: 100
Dual N-Channel Si 2.5 A 95 V 1 Ohms 1 GHz 20 dB 120 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PEG/REEL 67库存量
剪切带
¥537.9817
¥444.8471
¥421.603
卷轴
¥398.6866
最低: 1
倍数: 1
: 100
N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART800PEG/OMP780/REEL 59库存量
剪切带
¥1,227.2591
¥1,038.2553
¥1,005.9938
卷轴
¥961.404
最低: 1
倍数: 1
: 100
Dual N-Channel LDMOS 65 V 200 mOhms 1 MHz to 650 MHz 29.2 dB 800 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4G-1-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF944P/SOT1228/TRAY 56库存量
¥1,607.086
¥1,365.8084
¥1,314.6081
最低: 1
倍数: 1
Dual N-Channel LDMOS 32 V 300 mOhms 1.3 GHz 20.3 dB 135 W + 225 C Screw Mount SOT1228A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP5LA55SG/TO270/REEL 121库存量
200预期 2026/11/5
剪切带
¥214.3949
¥172.4606
卷轴
¥163.7822
¥146.90
最低: 1
倍数: 1
: 100
N-Channel LDMOS 30 V 60 mOhms 520 MHz 19.6 dB 55 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 111库存量
¥1,636.7824
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 50 A 180 V 30 MHz 25 dB 400 W - 65 C + 150 C Screw Mount
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS 5,095库存量
¥93.8804
¥65.3479
¥62.8619
¥58.647
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan 8,750库存量
剪切带
¥64.8507
¥46.5673
¥41.7761
¥39.5387
卷轴
¥39.5387
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerFLAT (5x5) Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 1,185库存量
¥529.1338
¥400.5963
¥391.5789
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz 1,548库存量
¥774.5472
¥615.3189
¥590.3459
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 20 A 125 V 230 MHz 15 dB 150 W + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz 97库存量
90预期 2027/8/13
¥1,625.2903
¥1,305.4212
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 40 A 130 V 175 MHz 15 dB 350 W + 200 C Screw Mount Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS 294库存量
100预期 2026/11/9
¥1,370.1928
¥1,087.8849
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177MR-5 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB 352库存量
¥829.3974
¥647.2527
¥627.489
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 2.5 A 65 V 400 MHz 16 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB 233库存量
200预期 2027/2/16
¥931.1313
¥774.5472
¥705.4816
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 5 A 65 V 400 MHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB 916库存量
¥1,453.406
¥1,192.5116
¥1,157.4477
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 6 A 125 V 175 MHz 18 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS 23库存量
100预期 2027/3/10
¥1,707.2605
¥1,452.163
¥1,444.9649
最低: 1
倍数: 1
Si
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6FH/SOT539/TRAY 104库存量
¥2,213.5683
¥1,893.7783
¥1,809.4125
最低: 1
倍数: 1
Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FES/SOT539/TRAY 430库存量
¥2,407.6119
¥2,033.4124
¥1,963.6801
最低: 1
倍数: 1
Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray