GCMX080A120B2T1P

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Mouser编号：

148-GCMX080A120B2T1P

制造商编号：

GCMX080A120B2T1P

制造商：

SemiQ

说明：

MOSFET模块 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

GCMX080A120B2T1P 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	SemiQ
产品种类:	MOSFET模块
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	Press Fit
封装 / 箱体:	B2
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	6 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	29 A
Rds On-漏源导通电阻:	100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	103 W
系列:	GCMX
封装:	Tray
商标:	SemiQ
配置:	Hexa
下降时间:	18 ns
高度:	12 mm
长度:	62.8 mm
产品:	Modules
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	4 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
典型关闭延迟时间:	22 ns
典型接通延迟时间:	12 ns
Vf - 正向电压:	4.2 V
宽度:	33.8 mm

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数据表

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原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules

SemiQ 1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules are highly efficient modules designed to boost cost-efficiency and allow more compact system-level designs. These SemiQ high-speed switching SiC MOSFETs implement a planar technology with rugged gate oxide and feature a reliable body diode. These design elements are arranged in a three-phase bridge topology. 1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules also feature split DC negative terminals, press-fit terminal connections, and a Kelvin reference for stable operation. The high-power-density modules offer low switching losses and low junction-to-case thermal resistance. All parts are tested beyond 1350V with 100% wafer-level burn-in (WLBI).