SQ汽车级功率MOSFET

Vishay/Siliconix SQ汽车级功率MOSFET符合AEC-Q101标准,采用经过优化的适用于汽车业的特殊工艺设计生产。这些SQ MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET®技术,具有低热阻。SQ MOSFET有多种封装可供选择,可实现设计灵活性。封装包括TO-252、TO-262、TO-263、PowerPAK® SO-8、PowerPAK 8x8L、PowerPAK SO-8L、D2PAK (TO-263)、DPAK和PowerPAK 1212-8W,以及几种节省空间的小型封装。Vishay/Siliconix SQ汽车级功率MOSFET提供各种极性选项,包括N沟道和P沟道一体封装。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Vishay Semiconductors SQJ110ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
5,950预期 2027/6/10
最低: 1
倍数: 1

N-Channel 100 V Enhancement
Vishay Semiconductors SQJQ574E-T1_GE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET
3,950预期 2027/6/14
最低: 1
倍数: 1

N-Channel 150 V Enhancement
Vishay Semiconductors SQRS182ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
5,950预期 2027/3/29
最低: 1
倍数: 1
N-Channel 80 V
Vishay MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 无库存
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET Automotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L P-Channel 2 Channel 30 V 30 A 0.017 Ohms 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

Si Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 7 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 7.8 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement Reel, Cut Tape