碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管

Microsemi/Microchip  (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有出色的动态性能和热性能，优于传统的硅功率二极管。碳化硅势垒二极管由硅 (Si) 和碳 (C) 组成。与纯硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。碳化硅肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷，可减少二极管的开关损耗。这些器件还设有温度独立开关，可确保稳定的高温性能。

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封装 / 箱体
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
数据表
258库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
数据表
76库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化硅MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
数据表
962库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
数据表
141库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 700 V, 10 A SiC SBD
数据表
623库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
数据表
43库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 1200 V, 30 A SiC SBD
数据表
571库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
数据表
876库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2

Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
数据表
76库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
数据表
633库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
数据表
18库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 1200 V, 10 A SiC SBD
数据表
82库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 1200 V, 10 A SiC SBD
数据表
75库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
数据表
150库存量
300预期 2026/10/6
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
数据表
19库存量
90预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 700 V 30 A TO-247
数据表
159库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 700 V, 20 A SiC SBD
数据表
320库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
数据表
319在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 700 V, 50 A SiC SBD
数据表
105库存量
150在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
数据表
41库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
数据表
55库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
数据表
148库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268
数据表
48库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SMD/SMT D3PAK-3
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
数据表
509预期 2026/9/16
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4