碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管

Microsemi/Microchip  (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有出色的动态性能和热性能，优于传统的硅功率二极管。碳化硅势垒二极管由硅 (Si) 和碳 (C) 组成。与纯硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。碳化硅肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷，可减少二极管的开关损耗。这些器件还设有温度独立开关，可确保稳定的高温性能。

分离式半导体类型
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数量 RoHS 产品类型
技术
安装风格
封装 / 箱体
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 700V, 30A SiC SBD
数据表
210预期 2026/10/2
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
数据表
76在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
数据表
60预期 2026/9/21
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 700V, 50A SiC SBD
数据表
150预期 2026/10/6
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 14
倍数： 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount SOT-227
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 700 V 10 A TO-268
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 270
倍数： 30

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-268-3
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 1200 V 15 A TO-220
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 150
倍数： 50

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 1200 V 20 A TO-220
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2