OptiMOS™7汽车功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™7汽车功率MOSFET可帮助工程师构建更高效率和更高密度的汽车电源系统。这些器件将先进的MOSFET硅与现代无引线功率封装相结合,以降低紧凑设计中的导通损耗和开关损耗。OptiMOS7 MOSFET专为12V和48V车载架构设计,支持更高的电流能力,简化热管理,并提高整体系统性能。

结果: 68
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 2,472库存量
5,000预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 222 A 1.13 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 49 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 8,672库存量
10,000预期 2026/9/7
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.82 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 131库存量
30,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 40 V 414 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 98 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 148库存量
55,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 82 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 213库存量
65,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 960 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 66库存量
10,000预期 2026/9/3
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 430 A 520 uOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 109 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor 6库存量
10,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 117 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor 96库存量
10,000预期 2026/9/3
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 3.2 V 27.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
35,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
113,620在途量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 40 V 518 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
121,200在途量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.02 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 16 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7
43,608预期 2027/2/11
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 274 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
29,372在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 80 V 262 A 1.63 mOhms 20 V 3.2 V 83 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
10,000预期 2026/9/24
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 532 A 590 uOhms 1.5 V 146 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
4,970预期 2026/9/7
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 129 A 2.46 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
5,271在途量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
20,000预期 2026/9/3
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
4,993预期 2026/9/3
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 97 A 3.25 mOhms 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape