Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

结果: 1,445
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Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN1616-6 T&R 3K 1库存量
9,000预期 2027/9/1
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
108,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,740
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
33,450在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
178,825在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 7,500
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET N-Chnl 240V
10,124预期 2027/3/12
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
: 1,000


Diodes Incorporated MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET
32,238在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,000
: 1,000


Diodes Incorporated MOSFET P-Ch 70V 3.7A
5,999在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
: 1,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS 61V-100V 2库存量
375预期 2026/10/28
最低: 1
倍数: 1
最大: 225

Diodes Incorporated BSP75NQTA
Diodes Incorporated 电源开关 IC - 配电 Low Side IntelliFET
61,774预期 2026/11/4
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,000
: 1,000


Diodes Incorporated MOSFET 20V Comp Pair ENH 2kV ESD SO-8 Mosfet
27,094在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,250
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
17,492在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,210
: 2,500


Diodes Incorporated 肖特基二极管与整流器 10V Low Leakage Schottky diode
11,782在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 500
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Chnl 60V
33,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Chnl 60V
3,975预期 2026/10/2
最低: 1
倍数: 1
: 1,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Chnl 250V
5,853在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 260
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 30V P Chnl HDMOS
7,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
: 1,000

Diodes Incorporated MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
4,997在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET 100V N-Chnl UMOS
35,033在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
33,471预期 2026/11/23
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Chnl UMOS
23,979预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Chnl UMOS
53,323在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 740
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
11,936预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
最大: 600
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Chnl UMOS
28,907在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET P-Chan 100V MOSFET (UMOS)
9,890在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 520
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET 60V P-Chnl UMOS
73,586在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 380
: 3,000