Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

结果: 1,445
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS

Diodes Incorporated MOSFET 2N7002 Family
71,310在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V 200mW
302,750在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Channel
434,390在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,410
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V 150mW
207,335在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 9,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V 200mW
131,900在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS:
59,997在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,290
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 100V 200mW
105,421在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60 / -50V 200mW
38,354在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V,TSOT23,3K
115,800预期 2027/4/7
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,200
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
20,000预期 2027/4/19
最低: 1
倍数: 1
最大: 570
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
14,605在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 600
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vds 0.58W 37pF
236,500在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 10,000
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET 20V N P Ch 20VDSS 0.45W Low RDSon
172,174在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,110
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K
149,397在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 15,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
20,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC
100,580在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 9,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
12,500在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 560
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET FET BVDSS 31V 40V 1.3W 1180pF 21.3nC
6,500预期 2026/8/28
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-323
292,635在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,130
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
278,008在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS:
103,515在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET N-CHANNEL
27,000预期 2027/3/3
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS
215,339在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS
106,926在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM
52,692在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000