Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

结果: 1,446
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS
215,339在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS
106,926在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM
52,692在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
11,100预期 2026/10/21
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A
29,998在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
28,515在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,440
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
47,105在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET Dual N-Channel
32,980在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 20V 300mA
35,995在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 750
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
22,500在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,500
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
19,995预期 2027/4/12
最低: 1
倍数: 1
最大: 670
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
17,177在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
53,980在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
51,475在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,570
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
59,965在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 10,000
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V
18,392在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 670
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
65,900预期 2026/11/25
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,810
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vdss 1.5W
7,500预期 2026/10/9
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A
24,763在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 410
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
6,000预期 2027/9/6
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
83,945在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,530
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
195,174预期 2026/9/4
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,140
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
6,000预期 2027/2/26
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
59,937在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 10,000
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
77,630在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,190
: 10,000